RADİASİYA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU
AZƏRBAYCAN RESPUBLİKASI ELM VƏ TƏHSİL NAZİRLİYİ
FİZİKA-RİYAZİYYAT VƏ TEXNİKA ELMLƏRİ BÖLMƏSİ
| AZE | ENG | RUS |

Elmlər doktorları

Əhmədov Fərid İbrahim oğlu

Farid AhmadovAnadan olduğu yer: Bakı, Azərbaycan

Təvəllüdü: 01.04.1983

Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi: Bakı Dövlət Universiteti, Fizika fakultəsi

Elmi dərəcəsi: Fizika üzrə elmlər doktoru

Elmi rütbəsi: Dosent

Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2225.01
- ixtisasın adı: Radiasiya materialşünaslığı
- mövzunun adı: Silisium əsaslı mikro-pikselli selvari fotodiodların radiasiya davamlılığının tədqiqi

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2225.01
- ixtisasın adı: Radiasiya materialşünaslığı
- mövzunun adı: Yeni mikropikselli selvari fotodiodların işlənməsi, fiziki xassələrinin tədqiqi və radiasiya spektrometrində tətbiqi

Çapdan çıxmış elmi əsərlərin ümumi sayı: 60
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 25
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 24

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı: 1

Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı: 1

Əsas elmi nailiyyətləri:
1. Dərin pikselli MSFD fotoqəbuledicilərin qoruyucu stop-kanalını və pikselinin ölçüsünü təkmilləşdirərək yeni selvari fotoqəbuledici işlənmiş və sınaqdan keçirilmişdir. Yeni MAPD-3NM tipli fotoqəbuledicilərin parametrləri 3NK ilə müqayisədə işləmə gərginliyi ≈ 19 %, qaranlıq cərəyanı ≈ 5,2 dəfə azalmış və gücləndirmə əmsalı ≈ 80% artmışdır. MAPD-3NM tipli fotoqəbuledicilər foton qeydetmə effektivliyinə görə öz analoqlarını 5 dəfədən çox üstələyir.
2. Səthi pikselli MSFD fotodiodların gücləndirmə əmsalını, qeydetmə effektivliyini artırmağa və maya dəyərini aşağı salmağa imkan verən yeni strukturu işlənmişdir. Təklif edilən qurğuda söndürücü müqavimət olaraq ardıcıl birləşmiş çox saylı mikro p-n keçidlərdən istifadə edilir. Müəyyən edilmişdir ki, yeni MSFD fotodiod işlək parametrlərinə görə öz analoqlarını 50% üstələyə bilər.
3. MSFD tip fotodiodların işləmə mexanizmini düzgün ifadə etmək üçün həcmi yüklər oblastının müqavimətini nəzərə alan yeni iterativ model işlənmişdir. Məlum olmuşdur ki, MSFD tip fotodiodların gücləndirmə əmsalı həcmi yüklər oblastının müqavimətindən asılı olaraq iki dəfəyə qədər dəyişə bilər.
4. İlk dəfə olaraq müəyyən edilmişdir ki, səthi pikselli MSFD fotodiodların cəldliyini nəzəri sərhəddə çatdırmaq üçün ifrat gərginliyi 4 V-a qədər, parazit tutumu isə piksel tutumunun 1 % -nə qədər artırmaq lazımdır.
5. MSFD-3NK və qeyri üzvi ssintilyator əsasında yeni qamma spektrometr hazırlanmışdır. Məlum olmuşdur ki, 26,3 keV–1,33 MeV enerjili qamma şüalarını qeyd edərkən bu detektor enerji ayrıdetməsinə görə analoqlarını 34% üstələyir və bu tip detektorlar 4,44 MeV enerji oblastına kimi xətti işləyir.
6. MSFD-3NK tipli fotoqəbuledicilərin qaranlıq cərəyanına, deşilmə gərginliyinə, xüsusi tutumuna və enerji ayırdetməsinə ≈ 1.25 MeV enerjili qamma şüaların təsiri geniş öyrənilmişdir. Məlum olmuşdur ki, şüalanmanın təsirindən MSFD-lərin qaranlıq cərəyanı 15 dəfə, enerji ayırdetməsi 8,7 % artmış, xüsusi tutumu və deşilmə gərginliyi 5% dəqiqliklə sabit qalmışdır.
7. MPSF tipli fotoqəbuledicilərin fiziki xassələrinə 4,8 MeV enerjili alfa zərrəciklərin ~7×108alfa/sm2 və 150 MeV enerjili protonların 1×101proton/sm2 dozasının təsiri öyrənilmişdir. Alfa zərrəcikləri ilə şüalanma nəticəsində diodun qaranlıq cərəyanı ~90 dəfə artmış, gücləndirmə əmsalı isə 88% azalmışdır. Protonla şüalanma zamanı qaranlıq cərəyanın ~102 dəfə artması və gücləndirmə əmsalının 92% azalması müşahidə edilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, radiasiya defektləri hesabına MPSF diodların birinci epitaksial layında yaranan deşiklər elektrik sahəsinin xüsusi paylanması nəticəsində selvari prosesdə iştirak etmədən birbaşa anoda doğru istiqamətlənir. İkinci epitaksial layda yaranan generasiya və tutma mərkəzləri qaranlıq cərəyanın, gücləndirmə əmsalının dəyişməsinə səbəb olur.
8. MPSF diodların gücləndirmə əmsalını deşilmə gərginliyindən aşağı və yüksək gərginliklərdə tədqiq etməyə imkan verən yeni metod işlənmişdir.Təklif edilən yeni üsul mövcud zəif işıq seli metodundan fərqli olaraq MPSF diodların gücləndirmə əmsalını çox geniş gərginliklər intervalında dəyişməsini və radiasiyanın gücləndirmə əmsalına təsirini müəyyən etməyə imkan verir.
9. Kiçik bərpaolunma müddətli yeni tipli MPSF- diodların iş prinsipi müəyyən edilmışdir. Göstərilmişdir ki, bu tip MPSF diodlara əks istiqamətdə təbiq edilən gərginliyin müəyyən qiymətində p -tipli birinci eptaksia layı həcmi yüklər oblastı ilə tam əhatə olunur və həcmi yülkər oblastı n+- tipli piksellərə çatır. Gərginliyin yüksək qiymətində piksellər və ikinci eptaksiya layı həcmi yüklər oblastı ilə tam əhatə olunur. İkinci eptaksia layı ilə n+- tipli mərkəzlərin sərhəddində selvari proses baş verir. n+- tipli piksel mərkəzlərində aşqar atomlarının optimal səthi yük sıxlığının (1,3×1012atom/sm2) seçilməsi potensial çəpərin hündürlüyünün, həmçinin bərpaolunma müddətinin kəskin azalmasına səbəb olur. Təklif olunmuş MPSF diodun bərpaolunma müddəti əvvəlki tip MPSF diodlarla müqayisədə 2,6×104 dəfə kiçikdir və daha yüksək tezlikli siqnalları qeyd etməyə imkan verir (>20MHs).

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası

Vəzifəsi: Laboratoriya rəhbəri

Xidməti tel: (+99451) 4200820
Mobil tel: (+99451) 4200820
E-mail: farid081211@gmail.com