Доктора наук

Место рождения: Баку, Азербайджан

Дата рождения: 01.04.1983

Образование: Бакинский Государственный Университет, Физический факультет

Ученая степень: Доктор физических наук

Ученое звание: Доцент

Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности: 2225.01
- наименование специальности: Радиационное материаловедение
- название темы: Исследование радиационной стойкости кремниевые микро-пиксельных лавинных фотодиодов

Название докторской диссертации:
- шифр специальности: 2225.01
- наименование специальности: Радиационное материаловедение
- название темы: Разработка новых микропиксельных лавинных фотодиодов, исследование их физических свойств и применение в радиационном спектрометре

Общее количество опубликованных научных работ: 60
Количество научных работ, опубликованных за рубежом: 25
Количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах: 24

Количество авторских свидетельств и патентов: 1

Подготовка кадров:
- количество кандидатов наук: 1

Основные научные достижения:
1. Новый лавинный фотоприемник был разработан путем улучшения защитного стоп-канала и увеличения размера пикселя фотоприемников MAPD с глубоко погруженной пиксельной структурой. По сравнению с MAPD- 3NK параметры новых фотодетекторов типа MAPD- 3NM: рабочее напряжение снижен на 19%, темновой ток снижен в 5,2 раза, коэффициент усиления повышен на 80%. Фотоприемники типа MAPD- 3NM превосходят аналоги более чем в 5 раз по эффективности регистрации фотонов.
2. Разработана новая структура, позволяющая увеличить коэффициент усиления, эффективность детектирования и снизить стоимость поверхностных пиксельных MAPD-фотодиодов. В предлагаемом устройстве в качестве гасящего сопротивления используется несколько последовательно соединенных микро-p-n переходов. Было установлено, что новый фотодиод MAPD может превосходить аналоги на 50% по эксплуатационным параметрам.
3. Новая итерационная модель, учитывающая сопротивление области пространственного заряда, была разработана для корректного описания механизма работы фотодиодов типа MAPD. Установлено, что коэффициент усиления фотодиодов типа MAPD может изменяться до двух раз в зависимости от сопротивления области пространственного заряда.
4. Определено, что для доведения быстродействия фотодиодов MSFD с поверхностными пикселями до теоретического предела необходимо увеличить перенапряжение до 4 В и паразитную емкость до 1% от емкости пикселя.
5. Разработан новый гамма-спектрометр на основе MAPD-3NK и неорганического сцинтиллятора. Установлено, что при регистрации гамма-квантов с энергией 26,3 кэВ–1,33 МэВ этот детектор превосходит аналоги на 34 % по энергетическому разрешению, а детекторы данного типа работают линейно до диапазона энергий 4,44 МэВ.
6. Широко изучено влияние гамма-квантов с энергией ≈ 1,25 МэВ на темновой ток, напряжение пробоя, удельную емкость и энергетическое разрешение фотодетекторов типа MAPD-3NK. Установлено, что под воздействием радиации темновой ток MAPD увеличился в 15 раз, энергетическое разрешение увеличилось на 8,7 %, а удельная емкость и напряжение пробоя оставались стабильными в пределах 5 %.
7. Изучены физические свойства фотодетекторов типа MAPD под воздействием альфа-частиц с энергией 4,8 МэВ с дозой~7×108 и протонов с энергией 150 МэВ и дозой альфа/см² и дозы 1×1011 протонов/см². В результате облучения альфа-частицами темновой ток диода увеличился в ~90 раз, а коэффициент усиления уменьшился на 88%. При протонном облучении наблюдалось увеличение темнового тока в ~102 раз и уменьшение коэффициента усиления на 92%. Установлено, что дырки, образовавшиеся в первом эпитаксиальном слое MAPD -диодов за счет радиационных дефектов, направлены непосредственно к аноду, не участвуя в лавинном процессе за счет особого распределения электрического поля. Образующиеся во втором эпитаксиальном слое центры генерации и захвата приводят к изменению темнового тока и коэффициента усиления.
8. Разработан новый метод, позволяющий исследовать коэффициент усиления MAPD -диодов при напряжениях ниже и выше напряжения пробоя. Предложенный новый метод позволяет определять изменение коэффициента усиления MAPD -диодов в широком диапазоне напряжений и влияние излучения на коэффициент усиления, в отличие от существующего метода слабого засвета.
9. Определен принцип работы нового типа диодов MAPD с малым временем восстановления. Показано, что при определенном значении обратно смещенного напряжения, объем первого слоя эптаксии p-типа полностью окружается областью пространственного заряда и достигает пикселей n+-типа. При высоком значении напряжения пиксели и объем второго эптаксического слоя полностью перекрываются областью пространственного заряда. Лавинный процесс происходит на границе центров n+-типа со вторым слоем эптаксии. Выбор оптимальной поверхностной плотности заряда (1,3×1012атом/см²) атомов примеси в центрах пикселей n+-типа приводит к резкому уменьшению высоты потенциального барьера, а также времени восстановления. Время восстановления предлагаемого MAPD-диода в 2,6×104 раз меньше по сравнению с предыдущим типом MAPD -диодов и позволяет регистрировать сигналы более высокой частоты (>20MГц).

Место работы и адрес:
Институт Радиационных Проблем Министерства Науки и Образования АР, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, ул. Б.Вагабзаде, 9

Должность: Заведующий лабораторией

Служ. тел.:
Мобил. тел.: (+99451) 4200820
Э-почта: farid081211@gmail.com