RADİASİYA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU
AZƏRBAYCAN RESPUBLİKASI ELM VƏ TƏHSİL NAZİRLİYİ
FİZİKA-RİYAZİYYAT VƏ TEXNİKA ELMLƏRİ BÖLMƏSİ
| AZE | ENG | RUS |

Elmlər doktorları

Salmanov Famin Tahir oğlu

Salmanov Famin

Anadan olduğu yer: Azərbaycan, Astara rayonu, Şiyəkəran kəndi

Təvəllüdü: 12.02.1979

Təhsili: Bakı Dövlət Universiteti

Elmi dərəcəsi: Fizika elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Dosent

Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2225.01
- ixtisasın adı: Radiasiya materialşünaslığı
- mövzunun adı: TlİnS2(V) birləşmələrinin elektrik və dielektrik xassələrinə γ-şüaların təsiri

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2225.01
- ixtisasın adı: Radiasiya materialşünaslığı
- mövzunun adı: TlGa1-xInxSe2(1-x)S2x və TlGa1-xInxSe2 bərk məhlulların elektrik, dielektrik və optik xassələrinə qamma şüaların təsiri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı: 138
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 57
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 21

Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı: 1

Əsas elmi nailiyyətləri:
      A3B6 и A3B3C62 tipli birləşmələrin qəfəsinin temperatur qeyri stabilliyinin tədqiqatları ilə faza keçidlərin mövcudluğu aşkar edilmiş və hərtərəfli tədqiq edilmişdir. İlk dəfə təyin edilmişdir ki, faza keçidləri ifrat strukturlu “incommensurate” temperatur oblastları ilə müşahidə olunur. Bu da tədqiq olunan qəfəs dinamikasının xüsusiyyətlərindən tam və dolğun şəkildə informasiya əldə etmək üçün imkan yaradır. TlGa1-xInxSe2(1-x)S2x və TlGa1-xInxSe2 bərk məhlullarının geniş tezlik və temperatur intervalında dielektrik, optik və impedans spektrlərinə qamma şüaların təsirinin xüsusiyyətlərinin mexanizmləri müəyyənləşdirilmişdir.
      Tədqiqat işinin yeniliyi müasir tədqiqat metodları ilə şüalandırılmış bərk məhluların sıçrayışlı keçiriciliyinin xüsusiyyətləri, cərəyan sıxlığının və Pul-Frenkel effekti,superion keçiriciliyinin xüsusiyyətləri, impedans və optik spektrlər, Atom Qüvvə mikroskopu ilə səth prosesləri tədqiqinə əsaslanmışdır. İlk dəfə olaraq şüalandırılmış bərk məhlularda,bərk məhlul nümunələrinin elektrik keçiriciliyinin temperatur asılılığında otaq temperaturundan yuxarı temperaturlarda müşahidə olunan xüsusiyyətlər kristalın superion halına keçidi ilə bağlıdır, otaq temperaturunda 400 -1100 nm spektral diapazonunda əks olunma və buraxma spektrlərindən düzünə və çəpinə qadağan olunmuş zolağın eninin konsentrasiyadan asılılığı təyin olunmuş, Atom Qüvvə Mikroskopu metodu ilə tətqiqi nəticəsində radiasiyanın təsiri nanoölçülü klasterlərin doyma dərəcəsini artırır, molekulların dissosiasiya imkanı güclənir və kritik özəklərin əmələ gəlməsinə səbəb olur. Tədqiqat işinin praktik əhəmiyyəti ondan ibarətdir ki, alınan nəticələr yaddaş elementləri və çeviricilər, mikrobatareyalar, superkondensatorlar, ionistorlar, qamma detektor üçün münasib materiallar, fotoxrom kristallar kimi istifadə edilə bilər.

Elmi əsərlərinin adları:
1. Relaxor properties and conductivity mechanism of γ-radiated TlInS2 crystals. FTT, Solid State Physics (Physica Tverdovo Tela), 2005, v.47, N.9, p.1665-1669.
2. “Specific Features of Conductivity of γ-Irradiated TlGaTe2 Crystals with Nanochain Structure” Semiconductors 44, 485 (2010).
3. Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe2. Физика твердого тела. 2011, том. 53, вып. 8, с. 1488-1492.
4. Superionic Conductivity in One-Dimensional Nanofibrous TlGaTe2 Crystals. Japanese Journal of Applied Physics. 50 (2011), 05FC09-1 – 2.
5. Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe2 и lInTe2.Физика и техника полупроводников. 2011, том 45, вып. 11, с. 1441-1445.
6. Суперионная проводимость в кристаллах TlGaTe2. Физика и техника полупроводников. 2011, том 45, вып. 8, с. 1009-1013.
7. “Ionic conductivity and dielectric relaxation in γ-irradiated TlGaTe2 crystals”. FTP, (Physica i Technica Poluprovodnicov), Semiconductors 47, No.5, 696-701 (2013).
8..Conductivity over localized states of the system of (TlInSe2)1-x(TlGaTe2)x solid solutions, Semiconductors 49 (12), 1655-1660
9. On the polarization caused by bulk charges and the ionic conductivity in TlInSe2 crystals, March 2014, Semiconductors 48(4)
10. Phase Transition in TlS, TlSe and TlInS2 Crystals Caused by Nanoscale Defects, August 2017 DOI10.11159/tann17.116 Conference: International Conference of Theoretical and Applied Nanoscience and Nanotechnology
11. Phase Transition in TlS, TlSe and TlInS2 Crystals Caused by Nanoscale Defects, January 2018, DOI10.11159/ijtan.2018.002
12. Тип оптических переходов на краю фундаментального поглощения кристаллов TlGaSe2 и TlInS2, подвергнутых γ-облучению. Оптика спектроскопия Т127 в3, DOI: 10.1134/S0030400X19090224
13. Impedance Spectroscopy Of (TlGaSe2)1-x(TlInSe2)x Solid Solutions In Radio Frequency Range. Modern physics letters b, Vol. 34, No. 11, 2050113 (2020) https://doi.org/10.1142/S0217984920501134
14. Импедансные характеристики γ-облученных твердых растворов (TlGaSe2)1-x(TlInS2)х в радиочастотном диапазоне Физика и техника полупроводников, 2020.т54 в6 DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49376.9172

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:
“Gənc Təqdiqatçı” juranalının redaksiya şurasının üzvü

Pedaqoji fəaliyyəti:
Milli Aviasiya Akademiyası - magistratura
Radiasiya Problemləri İnstitutu - magistratura

Digər fəaliyyəti:
RPİ YAP ərazi təşkilatının sədr müavini

Təltif və mükafatları:
AR Gənclər və İdman nazirliyinin mükafatı “Gənclər Mukafatı” laureatı (2012-ci il)
Yasamal Rayon İcra hakimiyyətinin Fəxri Fərmanı - 2016

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası

Vəzifəsi: Aparıcı elmi işçi

Xidməti tel.: (+994 12) 5393391
Mobil tel.: (+994 70) 2083033
Elektron poçtu: faminsalmanov1979@gmail.com, famin.salmanov@science.az