Elmlər doktorları

Anadan olduğu yer: Erm.SSR, Sisian r-nu, Ağudi k.

Təvəllüdü: 06.06.1960

Təhsili: Azərbaycan (Bakı) Dövlət Universiteti

Elmi dərəcəsi: Fizika elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Dosent

Namizədlik dissertasiyasının ixtisas şifri, ixtisasın adı və mövzusu:
- ixtisas şifri: 01.04.10
- ixtisasın adı: Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası
- mövzunun adı: Ge-Si bərk məhlulların (Ge_1-xSi_ix:H) elektrofiziki və optik xassələri

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2211.01
- ixtisasın adı: Bərk cisim fizikası
- mövzunun adı: Silisium-germanium əsasında hidrogenləşmiş nazik təbəqələrdə elektron, optik proseslər və onların tətbiq perspektivləri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı: 105
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 71
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 24

Əsas elmi nailiyyətləri:
1. Aşağı temperaturlarda sıçrama mexanizmi öyrənilmişdir.
2. Sıçrama enerjisi, sıçrama məsafəsi, lokallaşmış halda dalğa funksiyası və hal sıxlığı silisium birləşmələri üçün müəyyən edilmlşdir.
3. Silisium birləşmələrində hydrogen atomunun konsentrasiyası müəyyən etmək üçün düstur verilmlşdir.
4. Çox qatlı günəş elementlərinin hazırlanması üçün struktur verilmişdir.

Elmi əsərlərinin adları:
1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si_0,90Ge_0,10:H_x. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.
2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge_0,90Si_0,10:H_х. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385.
3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge_0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224.
4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge_0,85Si_0,15:H. // Прикладная физика, 2004, № 4, с. 107-114.
5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Si_i-хGe_x:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144.
6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si_0,80Ge_0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102.
7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si_0,80Ge_0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.
8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Si_0,60Ge_0,40:H_x films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791.
9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si_1-xGe_x:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.
10. Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si_0,80Ge_0,10:H_x films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38.
11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si_1-хGe_х:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55.
12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23.
13. Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Si_i-xGe_x:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718.
14. Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367.
15. Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si_1-xC_x:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630.

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:
Rusiya Təbiyyətşünaslıq Akademiyasının Müxbir Üzvi

Təltif və mükafatları:
1. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının «Rusiyanın Qızıl kafedrası» Diplomu
2. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının «Labore Et Scientia – Bilik və Əməklə» Ordeni
3. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının «Primus Inter Pares – Bərabər olanların arasında Birinci» Ordeni
4. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının «Elm və Təhsil əməkdar xadimi»

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., B.Vahabzadə küç.,9

Vəzifəsi: Aparıcı elmi işçi

Xidməti tel.: (+994 12) 5383224
Mobil tel.: (+994 50) 3998966
Ev tel.: (+994 12) 4771866
Elektron poçtu: bnajafov@rambler.ru