Elmlər doktorları

Anadan olduğu yer: Azərbaycan Respublikası, Bakı şəhəri

Təvəllüdü: 28.04.1964

Təhsili: Bakı Dövlət Universiteti, Fizika Fakultəsi

Elmi dərəcəsi: Fizika elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Dosent

Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 01.04.27
- ixtisasın adı: Bərk cisimlər fizikası
- mövzunun adı: Yarımmaqnit yarımkeçiricilər və onların ölçüyə görə kvantlanmış lövhələrində zonalararası Faradey effekti

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2225.01; 2220.01
- ixtisasın adı: Radiasiya materialşünaslığı; Yarımkeçiricilər fizikası
- mövzunun adı: А^II-IVB^VI halkogenidlərinin elektron quruluşu, defektəmələgəlmə enerjisi və ionlaşdirici şüalarin onlarin fiziki xassələrinə təsiri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərin ümumi sayı: 250
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərin sayı: 120
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 85

Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı: 2

Əsas elmi nailiyyətləri:
1. İlk dəfə olaraq təməl prinsiplərdən ideal və defektli Сd(Pb)_1-xMn_xTe (х=0.01÷0.25), GaS уаrımkeçiricilərinin elektron quruluşu hesablanmışdır. Müəyyən edilmişdir ki, Сd(Pb)_1-xMn_xTe kristal özəyində vakansiya, düyünlərarası atom, Frenkel cütü kimi defektlərin olması qadağan olunmuş zonanın eninin dəyişməsinə, qadağan olunmuş zonada lokal səviyyələrin yaranmasına, Fermi səviyyəsinin sürüşməsinə, həmçinin maqnit momentlərinin yaranmasına və maqnit xassələrinin dəyişməsinə səbəb olur ki, bunlar da eksperimental olaraq təsdiq edilmişdir.
2. İlk dəfə olaraq defektəmələgəlmə və astana enerjiləri təməl prinsiplərdən Сd(Pb)_1-xMn_xTe üçün Fermi enerjisindən asılı oıaraq müxtəlif yük halları üçün və həmçinin GaS, GaSe, InSe уаrımkeçiriciləri üçün hesablanmışdır. Müəyyən edilmişdir ki, IV qrup halkogenidlərə nisbətən II və III qrup halkogenidkərdə defektəmələgəlmə və astana enerjiləri daha böyükdür.
3. Rabitə orbitalları və Atom Orbitallarının Xətti Kombinasiyası metodları ilə GaS, GaSe, InSe yarımkeciricilərində anion, kation vakansiyaları və kation, anion tipli aşqarlara uyğun enerji səviyyələri hesablanmışdır. Müəyən olunmuşdur ki, bu yarımkeçiricilərdə anion və ya kation vakansiyaları qadağan olunmuş zona və valent zonada lokal səviyyələr yaradırlar. Göstərilmişdir ki, GaS, GaSe, InSe yarımkeçiricilərində defekti əvəz edən, kiçik ion radiusuna və tetraedrik koordinasiyaya malik kationlar kristalın ilkin parametrlərini bərpa edirlər. Digər koordinasiyaya və böyük ion radiusuna malik atomlar isə əlavə defektlər və səviyyələr yaradırlar.
4. MDK metodu ilə, 10^-4Pa vakuumda, yetişmə prosesində əlavə kompensəedici Te buxarı mənbəyindən istifadə etməklə şüşə, şlyuda və ВаF₂ altlıqları üzərində mükəmməl kristal quruluşa və hamar, güzgü səthə malik Сd(Pb)_1-xMn_xTe, x=0.01÷0.1epitaksial təbəqələri alınmışdır.
5. Müəyyən olunmuşdur ki, altlığın temperaturunun Т_a=300К qiymətində şüşə altlıq üzərində alınmış Cd_1-xMn_xTe təbəqələri amorf faza ilə qarışıq polikrisral, slyuda üzərində isə yalnız polikristal quruluşa malikdur. Altlığın temperaturunun artırılması Тa≥470К şüşə altlıq üzərində kubik quruluşa malik polikristal təbəqələrin alınmasına gətirir və temperaturun Т_a≥570К qiymərlərində hər iki altlıq üzərində epitaksial böyümə başlayır.
6. γ- şüalanmanın (Е=1.17MeV, Е=1.33MeV) Cd(Pb)_1-xMn_xT epitaksial təbəqələrinin səth morfologiyasına və kristal quruluşuna təsiri müəyyən edilmişdir. AGM və rentgendifraktometrik üsullarla müəyyən edilmişdir ki. nümunələrin D_γ<25kQr dozada şüalandırılması hissəciklərin ölçülərinin və kristal quruluşun dəyişməsinə səbəb olur ki, bu da nəzəri olaraq təsdiq olunmuşdur.
7. Müəyyən olunmuşdur ki, Сd_1-xMn_xTe epitaksial təbəqələrinin γ-kvantlarla D_γ<25kQr dozada və Pb_1-xMn_xTe epitaksial təbəqələrinin isə Ф≤7·¹⁰17sm^-2 elektron seli ilə şüalandırılması əvvəlcə keçiriciliyin azalmasına gətirir ki, bu da qadağan olunmuş zonada lokal səviyyələrin yaranması ilə əlaqədardır. Şüalanma dozasının sonrakı artması həmin səviyyələrin kompensasiya olunmasına və elektrik keçiriciliyinin artmasına gətirir.
8. Göstərilmişdir ki, Cd(Pb)_1-xMn_xTe epitaksial təbəqələrinin γ-kvantlarla D_γ<25kQr dozada şüalandırılması fotokeçiriciliyin kəskin dəyişmələrinə səbəb olur ki, bu da onlar əsasında ionlaşdırıcı şüa detektorlarını hazırlamağa imkan verir.
9. Müəyyən edilmişdir ki, Cd_1-xMnxTe epitaksial təbəqələrinin tərkibində Mn miqdarının artması, eləcə də D_γ≤0.3kQr dozada γ-kvantlarla şüalandırılması udulma əmsalının dəyişməsinə və spektrin kənarının sürüşməsinə gətirib çıxarır ki, bu da qadağan olunmuş zonanın eninin dəyişməsi ilə izah olunur. Analoji qanunauyğunluqlar Ф≤10¹⁶sm^-2 dozada elektron seli ilə şüalandırılmış Pb_1-xMn_xTe epitaksial təbəqələrində də müşahidə olunur və alınmış nəticələr nəzəri olaraq təsdiq edilmişdir.
10. MDK metodu ilə vahid texnoliji tsikldə, vakuumu pozmadan CdTe/Cd_1-xMn_xTe və Pb_1-xMn_xТе/PbТe_1-уSе_у heterokeçidlərinin (HK) alınmasının optimal rejimi müəyyən edilmişdir. Göstərilmişdir ki, CdTe/Cd_1-xMn_xTe HK λ=0.5-0.9mkm dalğa uzunluğu oblastında, Pb_1-xMn_xТе/PbТe_1-уSе_у HK isə λ=0.9-5.5mkm oblastında həssaslığa malikdir.
11. Müəyyən edilmişdir ki, Pb_1-xMn_xTe yarımmaqnit yarımkeçiricilərinin ölçüyə görə kvantlanmış lövhələrində qadağan olunmuş zonanın eninin azalması zonzlararası Faradey fırlanması bucağının (ZFFB) artmasına gətirir.
12. Pb_1-xMn_xTe yarımmaqnit yarımkeçiricilərinin ölçüyə görə kvantlanmış lövhələrində ZFFB lövhənin sətthinə nəzərən iki müxtəlif kristallik istiqamətlərdə bir-birindən bir neçə tərtib fərqlənir və işarəcə müxtəlifdirlər.
13. Göstərilmişdir ki, Сd_1-xMn_xTe yarımmaqnit yarımkeçiricilərində ZFFB paramaqnit ionlarının konsentrasiyasından xətti asılıdır və manqan ionlarının kiçik konsentrasiyası ZFFB qiymətinə güclü təsir edir.

Praktiki təklif:
• Cd(Pb)_1-xMn_xTe halkogenidlərində Mn konsentrasiyasını dəyişməklə və GaS, GaSe, InSe yarımkeçiricilərinə aşqar vurmaqla zona quruluşunun idarə olunması;
• Cd(Pb)_1-xMn_xTe yarımleçiricilərinə ionlaşdırırcı radiasiya şüalarının təsiri ilə elektrikkeçiriciliyini, fotokeçiriciliyi, keçiriciliyin tipini, maqnit xassələrini, qadağan olunmuş zonanın enini idarə etmək olur.
• Elektron quruluşu və fotokeçericiliyin xassələrindən istifadə etməklə Cd(Pb)_1-xMn_xTe epitaksial təbəqələri və onlar əsasında hazırlanmış strukturlardan yüksək həssaslığa malik günəş elementləri, fotodetektorlar, ionlaşdırıcı radiasiya detektorları hazırlamaq mümkündür.

Elmi əsərlərinin adları:
1. Askerov B.M., Ismailov T.H., Mehrabova M.A. Interband Faraday rotation in semimagnetic semiconductors. Physica status solidi (b), 1991, v.163, p.k117-k121.
2. Джахангирли З.А., Мехрабова М.А. Pасчет электронной структуры вакансий в GaSe методом функции Грина. Известия высших учебных заведений, Физика, Томск, 2006, №11, p.8-12.
3. Mehrabova M.A. Calculation of electronic structure of vacancies and their replacements in semiconductors AIIIBVI. Journal “Radioprotection”, vol.43, №5, 2008, p.134.
4. Mehrabova М.А. Detectors in Barrier Structures of Metal-Lamellar Semiconductors. Key Engineering Materials, Trans Tech Publications, Switzerland, 2010, v.464, p.1-10.
5. Меhrаbоvа М.А. Thermodynamic and electronic properties two-dimensional electron gas with heating. «Alternative energetics and ecology», 2010, №6, p.130-135.
6. M.A. Mehrabova, The modeling of calculations of thermodynamic and electronic parameters of hot electrons in a quantum well, International Journal of Energy, NAUN, ISSN: 1998-4316, issue 4, vol. 4, 2010, p.63-70.
7. M.A. Mehrabova, R.S. Madatov. Calculation of the electron structure of vacancies and their compensated states in III-VI semiconductors. Semiconductors, Russian, vol.45, №8, 2011, p.998-1005.
8. Madatov R.S., Najafov A.I., Tagiyev T.B., Mekhrabova M.A., Gazanfarov M.P. The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe₂ monocrystals. Physics of solid state. 2011, v.45, №11, р. 2097-2101.
9. M.A. Mehrabova, Г.А. Абиев, Ш.А. Топчиева, Э.Т. Бабаев. Определение радионуклидов в составе змеиного яда и возможности создания детекторов на их основе. Вестник МГОУ. Серия «Естественные науки», №3/2011, стр.7-11, Россия, Москва.
10. M.A. Mehrabova, I.R. Nuriyev, H.S. Orujov. Electron Structure and Optical Properties of Cd_1-xMn_xTe Thin Films. International Journal of Materials, 2014, v.1, p.63-70.
11. M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, H.S. Orujov, A.M. Nazarov, R.M. Sadigov, V.N. Poladova, Defect formation energy for charge states and electrophysical properties of CdMnTe, Invited paper, Proc. SPIE Photonics, Devices and Systems VI, vol.9450, 2015, p.94500Q-1-10.
12. M.A. Mehrabova, H.S. Orujov, N.H. Hasanov, Ab initio study of defects in CdMnTe: Electronic structure and related properties, SciencePG International Journal of Materials Science and Applications, 2014, 3(6-1), p.24-32.
13. M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, T.B. Taghiyev, R.M. Sadigov, A.M. Nazarov, N.I. Huseynov, Impact of γ-irradition on srtucture and electrophysical properties of CdMnTe, SciencePG International Journal of Materials Science and Applications, 2014, 3(6-1), p.20-23.
14. И.Р. Нуриев, А.М. Назаров, M.A. Mehrabova, Р.М. Садыгов, Особенности роста, структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cd_1-xMn_xTe, Журнал «Неорганические Материалы», 2016, т.52, №9, с.1-4.
15. И.Р. Нуриев, М.А. Мехрабова, А.М. Назаров, Р.М. Садыгов, Н.Г. Гасанов. Рост, cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe. ФТП, v.51, №1, p. 36-39, 2017.
16. И.Р. Нуриев, М.А. Мехрабова. Н.Г. Гасанов. Cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cd_1-xMn_xSe. Поверхность, 2018, № 5, с. 98-101.
17. И.Р. Нуриев, А.М. Назаров, М.А. Мехрабова, Н.Г. Гасанов, Р.М. Садыгов, Н.В. Фараджов, С.С. Фарзалиев. Структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок полумагнитных твердых растворов Cd_1-x(Mn,Fe)_xSe. Поверхность, 2019, 11, c. 78-80
18. М.А.Мehrabova, H.R.Nuriyev, H.S.Оrujov, N.H.Hasanov, Т.I.Кеrimova, А.А.Аbdullayeva, A.I.Kazimova. Effect of gamma irradiation on conductivity of Cd_1-xFe_xTe, ФТТ, 2019, v.61, №12, p. 2306–2309.
19. А.А. Абдуллаева, Н.Г. Гасанов, А.И. Кязимова, М.А. Мехрабова, Г.С. Оруджев, Ab initio расчеты дефектов в полумагнитных полупроводниках CdMnSe. Известия российской академии наук. Mеханика Tвердого Tела. 2020, № 1, с. 130-136
20. M.A. Mehrabova, T.I. Kerimova, N.H. Hasanov. Dielectric properties of Cd_1-xFe_xTe semimagnetic semiconductors. 9th Rostocker International Conference: “Technical Thermodynamics: Thermophysical Properties and Energy Systems”, 15 October, 2020, University of Rostock, Germany, p.38

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:
1. Ekologiya və İnsan Təhlükəsizliyi Beynəlxalq Elmlər Akademiyasının akademiki, Sankt-Peterburg, Rusiya Federasiyası
2. Beynəlxalq Ekoenergetika Akademiyasının professoru, Azərbaycan
3. Texnologiyaların Commersalizasiyası üzrə baş mütəxəssis, ABŞ, Ukrayna
4. “Physica B: Physics and Condensed Matter” jurnalının eksperti, Web od Science, IF – 1.9
5. “Photonics-2017”, Prague, Czech Republic konfransının təkilat komitəsini üzvü
6. "Security Management and Society" III Beynəlxalq konfransının beynəlxalq elmi komitəsinin üzvü, Brno", Czech Republic, 2012
7. “Material science” USA, Science Publishing Group”, 2014, jurnalının xüsusi buraxılışının baş redaktoru
http://www.sciencepublishinggroup.com/specialissue/specialissueinfo.aspx?specialissueid=123001&journalid=123
8. ABŞ-ın “Science Publishing Group”-a daxil olan 3 jurnalının redaksiya heyətinin üzvü:
1) American Journal of Physics and Applications,
2) American Journal of Nanoscience and Nanotechnology,
3) International Journal of Materials Science and Applications.
9. Azərbaycan Texniki Universitetinin "Machine Science" jurnalının icraçı redaktoru

Pedaqoji fəaliyyəti:
1) Bakı Dövlət Universiteti, Fizika fakultəsi, “Bərk Cisimlər Fizikası” kafedrası;
2) Bakı Dövlət Universiteti nəzdində “Gənc İstedadlar Liseyi”;
3) Azərbaycan Texniki Universiteti, "Mühəndis fizikası və elektronika" kafedrası.

Digər fəaliyyəti:
1) Elmi rəhbər - 5 doktorant
2) Beynəlxalq və respublika olimpiadalarına şagirdlərim hazırlığı
3) Texnologiyalarin Kommersalizasiyasi

Təltif və mükafatları:
1. XXI əsrin gənc alimi diplomu
2. Bakı Dövlət Universitetinin Gənc İstedadlar Liseyinin fəxri fərmanı

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası

Vəzifəsi: Aparıcı elmi işçi

Xidməti tel.: (+994 12) 5383224 (132)
Mobil tel.: (+994 50) 7318177
Ev tel.: (+994 12) 4325187
Elektron poçtu: m.mehrabova@science.az,mehrabova@mail.ru