RADİASİYA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU
AZƏRBAYCAN MİLLİ ELMLƏR AKADEMİYASI
FİZİKA-RİYAZİYYAT VƏ TEXNİKA ELMLƏRİ BÖLMƏSİ
| AZE | ENG | RUS |

Elmlər doktorları

Mehrabova Mətanət Əhməd qızı

Mehrabova M.Ə.Anadan olduğu yer: Azərbaycan, Bakı şəhəri

Təvəllüdü: 28.04.1964

Təhsili: Bakı Dövlət Universiteti, Fizika Fakultəsi

Elmi dərəcəsi: Fizika elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Dosent

Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri və ixtisasın adı:
01.04.27 – "Bərk cisimlər fizikası"
- mövzunun adı: Yarımmaqnit yarımkeçiricilər və onların ölçüyə görə kvantlanmış lövhələrində zonalararası Faradey effekti

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri və ixtisasın adı: 2225.01 – "Radiasiya materialşünaslığı"; 2220.01 – "Yarımkeçiricilər fizikası"
- mövzunun adı: АII-IVBVI halkogenidlərinin elektron quruluşu, defektəmələgəlmə enerjisi və ionlaşdirici şüalarin onlarin fiziki xassələrinə təsiri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərin ümumi sayı: 170
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərin sayı: 92
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 45

Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı: 3

Əsas elmi nailiyyətləri:
1. İlk dəfə olaraq təməl prinsiplərdən ideal və defektli Сd(Pb)1-xMnxTe (х=0.01÷0.25), GaS уаrımkeçiricilərinin elektron quruluşu hesablanmışdır. Müəyyən edilmişdir ki, Сd(Pb)1-xMnxTe kristal özəyində vakansiya, düyünlərarası atom, Frenkel cütü kimi defektlərin olması qadağan olunmuş zonanın eninin dəyişməsinə, qadağan olunmuş zonada lokal səviyyələrin yaranmasına, Fermi səviyyəsinin sürüşməsinə, həmçinin maqnit momentlərinin yaranmasına və maqnit xassələrinin dəyişməsinə səbəb olur ki, bunlar da eksperimental olaraq təsdiq edilmişdir.
2. İlk dəfə olaraq defektəmələgəlmə və astana enerjiləri təməl prinsiplərdən Сd(Pb)1-xMnxTe üçün Fermi enerjisindən asılı oıaraq müxtəlif yük halları üçün və həmçinin GaS, GaSe, InSe уаrımkeçiriciləri üçün hesablanmışdır. Müəyyən edilmişdir ki, IV qrup halkogenidlərə nisbətən II və III qrup halkogenidkərdə defektəmələgəlmə və astana enerjiləri daha böyükdür.
3. Rabitə orbitalları və Atom Orbitallarının Xətti Kombinasiyası metodları ilə GaS, GaSe, InSe yarımkeciricilərində anion, kation vakansiyaları və kation, anion tipli aşqarlara uyğun enerji səviyyələri hesablanmışdır. Müəyən olunmuşdur ki, bu yarımkeçiricilərdə anion və ya kation vakansiyaları qadağan olunmuş zona və valent zonada lokal səviyyələr yaradırlar. Göstərilmişdir ki, GaS, GaSe, InSe yarımkeçiricilərində defekti əvəz edən, kiçik ion radiusuna və tetraedrik koordinasiyaya malik kationlar kristalın ilkin parametrlərini bərpa edirlər. Digər koordinasiyaya və böyük ion radiusuna malik atomlar isə əlavə defektlər və səviyyələr yaradırlar.
4. MDK metodu ilə, 10-4Pa vakuumda, yetişmə prosesində əlavə kompensəedici Te buxarı mənbəyindən istifadə etməklə şüşə, şlyuda və ВаF2 altlıqları üzərində mükəmməl kristal quruluşa və hamar, güzgü səthə malik Сd(Pb)1-xMnxTe, x=0.01÷0.1epitaksial təbəqələri alınmışdır.
5. Müəyyən olunmuşdur ki, altlığın temperaturunun Тa=300К qiymətində şüşə altlıq üzərində alınmış Cd1-xMnxTe təbəqələri amorf faza ilə qarışıq polikrisral, slyuda üzərində isə yalnız polikristal quruluşa malikdur. Altlığın temperaturunun artırılması Тa≥470К şüşə altlıq üzərində kubik quruluşa malik polikristal təbəqələrin alınmasına gətirir və temperaturun Тa≥570К qiymərlərində hər iki altlıq üzərində epitaksial böyümə başlayır.
6. γ- şüalanmanın (Е=1.17MeV, Е=1.33MeV) Cd(Pb)1-xMnxT epitaksial təbəqələrinin səth morfologiyasına və kristal quruluşuna təsiri müəyyən edilmişdir. AGM və rentgendifraktometrik üsullarla müəyyən edilmişdir ki. nümunələrin Dγ<25kQr dozada şüalandırılması hissəciklərin ölçülərinin və kristal quruluşun dəyişməsinə səbəb olur ki, bu da nəzəri olaraq təsdiq olunmuşdur.
7. Müəyyən olunmuşdur ki, Сd1-xMnxTe epitaksial təbəqələrinin γ-kvantlarla Dγ<25kQr dozada və Pb1-xMnxTe epitaksial təbəqələrinin isə Ф≤7·1017sm-2 elektron seli ilə şüalandırılması əvvəlcə keçiriciliyin azalmasına gətirir ki, bu da qadağan olunmuş zonada lokal səviyyələrin yaranması ilə əlaqədardır. Şüalanma dozasının sonrakı artması həmin səviyyələrin kompensasiya olunmasına və elektrik keçiriciliyinin artmasına gətirir.
8. Göstərilmişdir ki, Cd(Pb)1-xMnxTe epitaksial təbəqələrinin γ-kvantlarla Dγ<25kQr dozada şüalandırılması fotokeçiriciliyin kəskin dəyişmələrinə səbəb olur ki, bu da onlar əsasında ionlaşdırıcı şüa detektorlarını hazırlamağa imkan verir.
9. Müəyyən edilmişdir ki, Cd1-xMnxTe epitaksial təbəqələrinin tərkibində Mn miqdarının artması, eləcə də Dγ≤0.3kQr dozada γ- kvantlarla şüalandırılması udulma əmsalının dəyişməsinə və spektrin kənarının sürüşməsinə gətirib çıxarır ki, bu da qadağan olunmuş zonanın eninin dəyişməsi ilə izah olunur. Analoji qanunauyğunluqlar Ф≤1016sm-2 dozada elektron seli ilə şüalandırılmış Pb1-xMnxTe epitaksial təbəqələrində də müşahidə olunur və alınmış nəticələr nəzəri olaraq təsdiq edilmişdir.
10. MDK metodu ilə vahid texnoliji tsikldə, vakuumu pozmadan CdTe/Cd1-xMnxTe və Pb1-xMnxТе/PbТe1-уу heterokeçidlərinin (HK) alınmasının optimal rejimi müəyyən edilmişdir. Göstərilmişdir ki, CdTe/Cd1-xMnxTe HK λ=0.5-0.9mkm dalğa uzunluğu oblastında, Pb1-xMnxТе/PbТe1-уу HK isə λ=0.9-5.5mkm oblastında həssaslığa malikdir.
11. Müəyyən edilmişdir ki, Pb1-xMnxTe yarımmaqnit yarımkeçiricilərinin ölçüyə görə kvantlanmış lövhələrində qadağan olunmuş zonanın eninin azalması zonzlararası Faradey fırlanması bucağının (ZFFB) artmasına gətirir.
12. Pb1-xMnxTe yarımmaqnit yarımkeçiricilərinin ölçüyə görə kvantlanmış lövhələrində ZFFB lövhənin sətthinə nəzərən iki müxtəlif kristallik istiqamətlərdə bir-birindən bir neçə tərtib fərqlənir və işarəcə müxtəlifdirlər.
13. Göstərilmişdir ki, Сd1-xMnxTe yarımmaqnit yarımkeçiricilərində ZFFB paramaqnit ionlarının konsentrasiyasından xətti asılıdır və manqan ionlarının kiçik konsentrasiyası ZFFB qiymətinə güclü təsir edir.

Praktiki təklif:
• Cd(Pb)1-xMnxTe halkogenidlərində Mn konsentrasiyasını dəyişməklə və GaS, GaSe, InSe yarımkeçiricilərinə aşqar vurmaqla zona quruluşunun idarə olunması;
• Cd(Pb)1-xMnxTe yarımleçiricilərinə ionlaşdırırcı radiasiya şüalarının təsiri ilə elektrikkeçiriciliyini, fotokeçiriciliyi, keçiriciliyin tipini, maqnit xassələrini, qadağan olunmuş zonanın enini idarə etmək olur.
• Elektron quruluşu və fotokeçericiliyin xassələrindən istifadə etməklə Cd(Pb)1-xMnxTe epitaksial təbəqələri və onlar əsasında hazırlanmış strukturlardan yüksək həssaslığa malik günəş elementləri, fotodetektorlar, ionlaşdırıcı radiasiya detektorları hazırlamaq mümkündür.

Elmi əsərlərinin adları:
1. Askerov B.M., Ismailov T.H., Mehrabova M.A. Interband Faraday rotation in semimagnetic semiconductors. Physica status solidi (b), 1991, v.163, p.k117-k121.
2. Джахангирли З.А., Мехрабова М.А. Pасчет электронной структуры вакансий в GaSe методом функции Грина. Известия высших учебных заведений, Физика, Томск, 2006, №11, p.8-12.
3. Mehrabova M.A. Calculation of electronic structure of vacancies and their replacements in semiconductors AIIIBVI. Journal “Radioprotection”, vol.43, №5, 2008, p.134.
4. Mehrabova М.А. Detectors in Barrier Structures of Metal-Lamellar Semiconductors. Key Engineering Materials, Trans Tech Publications, Switzerland, 2010, v.464, p.1-10.
5. Меhrаbоvа М.А. Thermodynamic and electronic properties two-dimensional electron gas with heating. «Alternative energetics and ecology», 2010, №6, p.130-135.
6. 6. M.A. Mehrabova, The modeling of calculations of thermodynamic and electronic parameters of hot electrons in a quantum well, International Journal of Energy, NAUN, ISSN: 1998-4316, issue 4, vol. 4, 2010, p.63-70.
7. M.A. Mehrabova, R.S. Madatov. Calculation of the electron structure of vacancies and their compensated states in III-VI semiconductors. Semiconductors, Russian, vol.45, №8, 2011, p.998-1005.
8. Madatov R.S., Najafov A.I., Tagiyev T.B., Mekhrabova M.A., Gazanfarov M.P. The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe2 monocrystals. Physics of solid state. 2011, v.45, №11, р. 2097-2101.
9. M.A. Mehrabova, Г.А. Абиев, Ш.А. Топчиева, Э.Т. Бабаев. Определение радионуклидов в составе змеиного яда и возможности создания детекторов на их основе. Вестник МГОУ. Серия «Естественные науки», №3/2011, стр.7-11, Россия, Москва.
10. M.A. Mehrabova, I.R. Nuriyev, H.S. Orujov. Electron Structure and Optical Properties of Cd1-xMnxTe Thin Films. International Journal of Materials, 2014, v.1, p.63-70.
11. M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, H.S. Orujov, A.M. Nazarov, R.M. Sadigov, V.N. Poladova, Defect formation energy for charge states and electrophysical properties of CdMnTe, Invited paper, Proc. SPIE Photonics, Devices and Systems VI, vol.9450, 2015, p.94500Q-1-10.
12. M.A. Mehrabova, H.S. Orujov, N.H. Hasanov, Ab initio study of defects in CdMnTe: Electronic structure and related properties, SciencePG International Journal of Materials Science and Applications, 2014, 3(6-1), p.24-32.
13. M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, T.B. Taghiyev, R.M. Sadigov, A.M. Nazarov, N.I. Huseynov, Impact of γ-irradition on srtucture and electrophysical properties of CdMnTe, SciencePG International Journal of Materials Science and Applications, 2014, 3(6-1), p.20-23.
14. И.Р.Нуриев, А.М.Назаров, M.A.Mehrabova, Р.М.Садыгов, Особенности роста, структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cd1-xMnxTe, Журнал «Неорганические Материалы», 2016, т.52, №9, с.1-4.
15. И.Р. Нуриев, М.А. Мехрабова, А.М. Назаров, Р.М. Садыгов, Н.Г. Гасанов. Рост, cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe. ФТП, v.51, №1, p. 36-39, 2017.
16. И.Р. Нуриев, М.А. Мехрабова. Н.Г. Гасанов. Cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cd1-xMnxSe. Поверхность, 2018, № 5, с. 98–101.

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:
1. Ekologiya və İnsan Təhlükəsizliyi Beynəlxalq Elmlər Akademiyasının akademiki
2. Beynəlxalq Ekoenergetika Akademiyasının professor
3. Texnologiyaların Commersalizasiyası üzrə baş mütəxəssis
4. “Physica B: Physics and Condensed Matter” jurnalının eksperti
5. Photonics-2017”, Prague, Czech Republic konfransının təkilat komitəsini üzvü
6. "Security Management and Society" III Beynəlxalq konfransının beynəlxalq elmi komitəsinin üzvü, Brno", Czech Republic, 2012
7. “Material science” USA, “Science Publishing Group”, 2014, jurnalının xüsusi buraxılışının baş redaktoru http://www.sciencepublishinggroup.com/specialissue/specialissueinfo.aspx?specialissueid=123001&journalid=123
8. ABŞ-ın “Science Publishing Group”-a daxil olan 3 jurnalının redaksiya heyətinin üzvü:
1) American Journal of Physics and Applications,
2) American Journal of Nanoscience and Nanotechnology,
3) International Journal of Materials Science and Applications

Pedaqoji fəaliyyəti: Bakı Dövlət Universiteti nəzdində “Gənc İstedadlar Liseyi”

Digər fəaliyyəti:
- Beynəlxalq və respublika olimpiadalarına hazırlıq,
- Texnələgiyalarin Kommersalizasiyasi

Təltif və mükafatları:
1. XXI əsrin gənc alimi diplomu
2. Bakı Dövlət Universitetinin Gənc İstedadlar Liseyinin fəxri fərmanı

İş yeri və ünvanı:
AMEA-nın Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., B.Vahabzadə küç.,9

Vəzifəsi: Aparıcı elmi işçi

Xidməti tel: (+994 12) 5383224 (132)
Mobil tel: (+994 50) 7318177
Ev tel: (+994 12) 4325187

E-mail: m.mehrabova@science.az,mehrabova@mail.ru