Elmlər doktorları

Anadan olduğu yer: Azərbaycan Respublikası, Şəki şəhəri

Təvəllüdü: 05.09.1949

Təhsili: Bakı Dövlət Universiteti

Elmi dərəcəsi: Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Professor

Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 01.04.10
- ixtisasın adı: Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası
- mövzunun adı: Ge-Si bərk məhlulu əsasında hazırlanmış fotodiodların fotoelektrik xassələri

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 01.04.10; 2225.01
- ixtisasın adı: Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası; Radiasiya materuialşünaslığı
- mövzunun adı: Ge-Si p-n keçidlərində fotovoltaik və radiasiya effektləri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərin ümumi sayı: 150
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərin sayı: 72
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 45

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı: 17

Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı: 15
- elmlər doktorlarının sayı: 2

Əsas elmi nailiyyətləri:
     Yarımkeçirici materiallarda və onlar əsasında hazırlanmış strukturlarda fotovoltaik və radiasiya effektlərinin tədqiqi ilə məşğulam. İlk dəfə GeSi bərk məhlulları əsasında fotoqəbuledicilər hazırlanmış və onlarda fotovoltaik və radiasiya effektləri yaranma şərtləri müəyyən olunmuşdur. Alınmış nəticələr əsasında fotoçeviricilərin praktikitədbiq üsulları işlənilmişdir. İlk dəfə Ge-Si strukturlarında elektron və qamma-kvantların təsiri ilə radiasiya stimüllaşdırıcı effekt müşahidə edilmişdir. A³B⁶ laylı kristallarında radiasiya effektləri öyrənilmişdir. Həmin effektlərin öyrənilməsi zamanı qamma-kvantlardan, elektron və proton şüalarından istifadə edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, qamma-kvantların laylı kristallara ilkin təsiri nəticəsində keçiriciliyin qismən kompensasiyası baş verir, yüksək şüalanma dozalarında isə ilkin komplekslərin dissosiasiyası nəticəsində keçiricilik artır. Fotokeçiriciliyə təsir mexanizmi isə şüalanma zamanı yaranan defektlərin təbiətindən asılı olduğu müəyyən edilmişdir. Tədqiqatlar zamanı alınan nəticələr əsasında laylı kristalların davamlığının artırılma üsulu yaradılmışdır. Proton şüalarının təsiri Rezerfort əks səpilmə üsulu ilə tədqiq edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, şüalanma zamanı yaranan defektlər anion təbiətlidir və defektlərin kristalın səthyanı və həcmdə paylanma qaydası aşkar edilmişdir. Şüalanma dozasının qiymətinə görə amorflaşmanın astana qiyməti təyin edilmişdir. Alınmış nəticələr laylı kristallarda kvant çuxurunun yaradılmasında istifadə edilir. Yaradılan kvant çuxurlarının xassələrinin tədqiqi istiqamətində tədqiqatlar davam etdirilir. Belə çuxurların yaradılması radiasiya texnologiyasının tədbiqi ilə işıqsaçan diodların və fotoqəbuledicilərin yaradılmasına imkan verəcəkdir. Udulma zolağında fotokeçiriciliyin tədqiqi müxtəlif temperaturlarda və xarici elektrik sahələrində aparılmışdır.
     Müəyyən struktur defektlərin (VGa) qismən kompensasiyası baş verdiyindən GaS kristalının elektrikkeçiriciliyi azalır. Aşqarlama zamanı akseptor və donor tipli iki yüklü lokal mərkəzin yaranması səbəbindən kation vakansiyasının - VYb və Yb-Ga kation atomunu əvəz etməsi (YbGa) eyni zamanda baş verməsi öz-özünə kompensasiya hadisəsinin baş verməsinə şərait yaradır. Bu səbəbdən şüalandırılmış kristalın xüsusi müqaviməti artır və fotokeçiriciliyin temperatur asılılığında termik fəallaşma və sönmə hadisələri müşahidə edilmişdir ki, laylı GaS(Yb,Sm) kristallarının udulma zolağında fotokeçiriciliyi, xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə, səthin energetik səviyyələrinin qeyri-hamar potensialının nizamlanması nəticəsində yaranır. Səth potensialının hamarlanma dərəcəsi şüalanma dozasından, aşqar atomlarının konsentrasiyasından və xarici sahənin qiymət və istiqamətindən asılıdır. H+ və He+ ionları ilə implantasiya edilmiş laylı və zəngirvari kristalların (GaS; GaS(Yb, Sm); GaSe ) udma oblastında fotokeçiriciliyi şüalanmanın növündən və aşqar atomunun təbiətindən asılı olmayıb, yalnız struktur defektlərin konsentrasiyasından, termik dəmləmə temperaturundan və şüalanma dozasından asılıdır. Müəyyən edilmişdir ki, şüalanma dozalarının kiçik qiymətlərində ilkin defektlərin qismən kompensasiyası, yüksək dozalarda isə lokal nizamsız amorf oblastlar yaranır, şüalandırılmış kristalların termik dəmlənməsi zamanı isə defektlərin anniqilyasiyası nəticəsində müşahidə olunan stabil defektlər kristalların xassələrini məqsədyönlü idarə etməyə imkan verir.

Əsas nəşirlərin adları:
1. Madatov R.S., Nadzhafarov A.I., Tagiev T.B., and Gazanfarov M.R. The Mechanism of a Current Passing in TlInSe₂ Monocrystalsin Strong Fields. Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2010, Vol. 46, No. 5, pp. 497–500.
2. Р.С.Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б.Тагиев, М.Р., Газанфаров. Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe₂. ФТТ. 2011., с. 90-95.
3. Madatov R.S., Nadzhafarov A.I., Tagiev T.B., and Gazanfarov M.R., The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe₂ monocrystals. Recent Advances in Manufacturing Engineering. 2010, pp. 69-75.
4. R. Madatov, M. Sojoudi, T. Sojoudi, P. Farhadi Achieving steady and stable energy from AlGaAs-GaAs solar cells. ETASR international journal engineering, technology and Applied science Research, 2011, №6, p.151-154
5. Мадатов Р.С., Комаров Ф.Ф., Мустафаев Ю.М., Ахмедов Ф.А. Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS (GaSe), подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэв. Физика и техника полупроводников,2015,т.49,в.5.
6. R.S. Madatov, F.F. Komarov, V.V. Pilkoc, Yu.M. Mustafayeva, F.I. Akhmedova, and M.M. Jakhangirova. Investigation on structural and optical properties of GaS single Cristal exposed to irradiation by hydrogen with 70 keV energy. Journal of Electronic Materials. DOI: 10.1007/s11664-015-3904-4_ 2015 The Minerals, Metals Materials Society.
7. Madatov R.S.,Alekberov A.S. Влияние примеси на спектр поглощения в кристаллах GeS. Журнал прикладной спектроскопия. 2017 ,т.84, №1,с.56.
8. A.Sadigov, R.Madatov, F.Ahmadov, S.Suleymanov- A new detector concept for silicon photo-multiplies.Nucler Instrument and method in Physics Res.,A. a 824(2016)135-136.
9. Мадатов Р.С., Наджафов А.И. и др. Особенности электропроводности кристаллов при фото-рентгеновском возбуждениях. Физика и техника полупроводников,2015,т.49,в.9 (РФ).
10. Tobnaghi M. D, Madatov R, Mustafayev Y, Abasov F. Influence of Gamma Radiation on Electric Properties of Silicon Solar Cells. Int. J. Pure Appl. Sci. Technol. 2014, v. 21, no. 1, p. 12-16.
11. Мадатов Р.С., Гасымов Ш.Г., Бабаев С.С.3, Алекперов А.С., Мовсумова И.М., Джабаров С.Г. Особенности механизма электропроводности в γ-облученных монокристаллах TlInSe₂ под гидростатическим давлением, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, вып. 10, с.997-1002
12. Rahim Madatov, Rakshana Mamishova, Muslim Mamedov, Javanshir Ismayilov, Ulviya Faradjova, Electrophysical properties of Pb 1−XMnX Se epitaxial films irradiated by γ-quanta, Turkish Journal of Physics (2020), 44: р.214 – 221.

Pedaqoji fəaliyyəti:
Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyasının fizika kafedrasının professoru

Təltif və mükafatları:
1. Azərbaycan MEA-nın təltifi-50 illik yub.
2. Azərbaycan MEA-nın təltifi-60 illik yub.

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., B.Vahabzadə küç.,9

Vəzifəsi: Laboratoriya rəhbəri

Xidməti tel.: (+994 12) 5383224
Mobil tel.: (+994 50) 6609715
Ev tel.: (+994 12) 5374387
Elektron poçtu: msrahim@mail.ru