Доктора наук

Место рождения: Азербайджан, г. Шеки

Дата рождения: 05.09.1949

Образование: Бакинский Государственный Университет

Ученая степень: Доктор физико-математических наук

Ученое звание: профессор

Название кандидатской (PhD) диссертации::
- шифр специальности: 01.04.10
- наименование специальности: Физика диэлектриков и полупроводников
- название темы: Фотоэлектрические свойства фотодиодов созданных на основе твердых растворов Ge-Si

Название докторской диссертации:
- шифр специальности: 01.04.10; 2225.01
- наименование специальности: Физика полупроводников и диэлектриков; Радиационное материаловедение
- наименование специальности: Фотоэлектрические и радиационные эффекты в p-n-переходах Ge-Si

Общее количество опубликованных научных работ: 150
- количество научных работ, опубликованных за рубежом: 72
- количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах: 45

Количество авторских свидетельств и патентов: 17

Подготовка кадров:
- количество кандидатов наук: 15
- количество докторов наук: 2

Основные научные достижения:
   Изучаю фотоэлектрические и радиационные эффекты в полупроводниковых материалах и структурах на их основе. Впервые созданы фотоприемники на основе твердых растворов GeSi и определены условия для фотовольтаических и радиационных эффектов. На основе полученных результатов разработаны практические методы фотовольтаики. Впервые в структурах Ge-Si наблюдался радиационно-стимулирующий эффект под действием электронов и гамма-квантов. Изучены радиационные эффекты в слоистых кристаллах A3B6. При исследовании этих эффектов использовались гамма-кванты, пучки электронов и протонов. Было обнаружено, что первоначальное воздействие гамма-квантов на слоистые кристаллы частично компенсирует проводимость, а при высоких дозах облучения увеличивает проводимость за счет диссоциации первичных комплексов. Механизм воздействия на фотопроводимость зависит от природы дефектов, вызванных излучением. По результатам исследований был разработан метод повышения долговечности слоистых кристаллов. Влияние протонных пучков исследовано методом обратного рассеяния Резерфорта, установлено, что дефекты, образующиеся при облучении, имеют анионную природу, определен порядок их распределения по поверхности и объему кристалла. Ведутся исследования свойств создаваемых квантовых ям, создание которых позволит создавать светодиоды и фотоприемники с применением радиационных технологий. Исследование фотопроводимости в полосе поглощения проводилось при различных температурах и внешних электрических полях.
   Из-за частичной компенсации некоторых структурных дефектов (VGa) электропроводность кристалла GaS снижается. Одновременное замещение катионной вакансии - VYb и атома катиона Yb-Ga (YbGa) за счет образования двух заряженных локальных центров акцепторного и донорного типа при присоединении допускает возникновение самокомпенсирующегося события. По этой причине на температурной зависимости фотопроводимости увеличивается удельное сопротивление облученного кристалла и наблюдаются явления термической активации и экстинкции, фотопроводимость слоистых кристаллов GaS (Yb, Sm) в полосе поглощения возникает в результате неравномерного регулирования поверхностной энергии. Степень сглаживания поверхностного потенциала зависит от дозы облучения, концентрации аддитивных атомов, а также величины и направления внешнего поля. Фотопроводимость слоистых и богатых кристаллов, имплантированных ионами H + и He + (GaS; GaS (Yb, Sm); GaSe) в области поглощения, не зависит от типа излучения и природы аддитивного атома, а зависит только от концентрации структурных дефектов, температуры термического разложения и дозы облучения. Установлено, что при малых дозах облучения происходит частичная компенсация начальных дефектов, при высоких дозах образуются локальные нерегулярные аморфные области, а при термическом испарении облученных кристаллов стабильные дефекты, наблюдаемые в результате аннигиляции дефектов, позволяют целенаправленно управлять свойствами кристаллов.

Названия научных работ:
1. Madatov R.S., Nadzhafarov A.I., Tagiev T.B., and Gazanfarov M.R. The Mechanism of a Current Passing in TlInSe₂ Monocrystalsin Strong Fields. Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2010, Vol. 46, No. 5, pp. 497–500.
2. Р.С.Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б.Тагиев, М.Р., Газанфаров. Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe₂. ФТТ. 2011., с. 90-95.
3. Madatov R.S., Nadzhafarov A.I., Tagiev T.B., and Gazanfarov M.R., The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe₂ monocrystals. Recent Advances in Manufacturing Engineering. 2010, pp. 69-75.
4. R. Madatov, M. Sojoudi, T. Sojoudi, P. Farhadi Achieving steady and stable energy from AlGaAs-GaAs solar cells. ETASR international journal engineering, technology and Applied science Research, 2011, №6, p.151-154
5. Мадатов Р.С., Комаров Ф.Ф., Мустафаев Ю.М., Ахмедов Ф.А. Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS (GaSe), подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэв. Физика и техника полупроводников,2015,т.49,в.5.
6. R.S. Madatov, F.F. Komarov, V.V. Pilkoc, Yu.M. Mustafayeva, F.I. Akhmedova, and M.M. Jakhangirova. Investigation on structural and optical properties of GaS single Cristal exposed to irradiation by hydrogen with 70 keV energy. Journal of Electronic Materials. DOI: 10.1007/s11664-015-3904-4_ 2015 The Minerals, Metals Materials Society.
7. Madatov R.S.,Alekberov A.S. Влияние примеси на спектр поглощения в кристаллах GeS. Журнал прикладной спектроскопия. 2017 ,т.84, №1,с.56.
8. A.Sadigov, R.Madatov, F.Ahmadov, S.Suleymanov- A new detector concept for silicon photo-multiplies.Nucler Instrument and method in Physics Res.,A. a 824(2016)135-136.
9. Мадатов Р.С., Наджафов А.И. и др. Особенности электропроводности кристаллов при фото-рентгеновском возбуждениях. Физика и техника полупроводников,2015,т.49,в.9 (РФ).
10. Tobnaghi M. D, Madatov R, Mustafayev Y, Abasov F. Influence of Gamma Radiation on Electric Properties of Silicon Solar Cells. Int. J. Pure Appl. Sci. Technol. 2014, v. 21, no. 1, p. 12-16.
11. Мадатов Р.С., Гасымов Ш.Г., Бабаев С.С.3, Алекперов А.С., Мовсумова И.М., Джабаров С.Г. Особенности механизма электропроводности в γ-облученных монокристаллах TlInSe₂ под гидростатическим давлением, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, вып. 10, с.997-1002
12. Rahim Madatov, Rakshana Mamishova, Muslim Mamedov, Javanshir Ismayilov, Ulviya Faradjova, Electrophysical properties of Pb 1−XMnX Se epitaxial films irradiated by γ-quanta, Turkish Journal of Physics (2020), 44: р.214 – 221.

Педагогическая деятельность:
Профессор кафедры физики Азербайджанской Национальной Авиационной Академии.

Премии и награды:
1. Почетная Грамота НАН Азербайджана – с 50 летным юбилеем
2. Почетная Грамота НАН Азербайджана - с 60 летным юбилеем

Место работы и адрес:
Институт Радиационных Проблем Министерства Науки и Образования АР, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, ул. Б.Вагабзаде, 9

Должность: Заведующий лабораторией

Служ. тел.: (+994 12) 5383224
Мобил. тел.: (+994 50) 6609715
Дом. тел.: (+994 12) 5734387
Э-почта: msrahim@mail.ru