Xəbərlər

İnstitut aliminin daha bir uğuru: “ən gənc elmlər doktoru”

Bu günlərdə Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası (AMEA) Radiasiya Problemləri İnstitutunun böyük elmi işçisi Elçin Hüseynova Azərbaycan Respublikasının Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiyasının (AAK) qərarı ilə fizika üzrə elmlər doktoru elmi dərəcəsi verilib.

1986-cı ildə Saatlı rayonunda anadan olan Elçin Hüseynov 2010-cu ildən AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutunun əməkdaşıdır. 2011-ci ildə İnstitutda Radiasiya Materialşünaslığı ixtisası üzrə doktoranturaya daxil olan gənc alim 2014-cü ildə fizika üzrə fəlsəfə doktoru elmi dərəcəsi alıb və həmin ildən etibarən Milli Nüvə Tədqiqatları Mərkəzinin “Radiasiya materialşünaslığı və radiasion nanotexnologiya” şöbəsinin müdiridir.

Elçin Hüseynov cari ildə “3C-SiC nanokristalında neytron selinin təsiri ilə baş verən radioaktiv çevrilmələr və onların elektron proseslərinə təsiri” mövzusunda fizika elmləri doktorluğu dissertasiyasını müdafiə edib və ona AAK tərəfindən fizika üzrə elmlər doktoru elmi dərəcəsi verilib. Alim səmərəli fəaliyyəti müddətində ABŞ, Almaniya, İtaliya, Fransa, Çexiya, Avstriya, Sloveniya, Türkiyə, Rusiya Federasiyası və s. ölkələrin nüfuzlu mərkəzlərində radiasiya fizikası, nanoelektronika və nanonüvə texnologiyaları ilə əlaqədar müxtəlif işlər görmüş, konfrans və tədbirlərdə aktiv iştirak edib.

Elmi əsərləri dünyanın reytinqli və yüksək indeksli jurnallarında çap olunan Elçin Hüseynov ümumilikdə 93 elmi əsərin müəllifidir. Həmin elmi əsərlərdən 40-a qədəri “Applied Physics A”, “Physics Letters A”, “Ceramics International”, “Solid State Sciences”, “Physica B: (Elsevier)”, “NANO”, “Silicon (Springer)” və s. bu kimi populyar jurnallarda yayımlanıb. Əksəriyyəti ən reytinqli jurnallarda olmaqla tək müəllifli 14 məqaləsi olan alimin əsərlərinə olan istinad sayı isə 500-dən çoxdur. Onun beynəlxalq qiymətləndirmə sistemlərində h – indeksi 18, i10 – indeksi isə 23-ə bərabərdir.

Gənc alimin innovativ tədqiqatları və nəticələr

Elçin Hüseynovun tədqiqat işləri innovativ xarakterlidir və bir sıra yeni yanaşmaları özündə ehtiva edir. Belə ki, alimin aparmış olduğu tədqiqatlar nəticəsində ilk dəfə olaraq, 3C-SiC nanokristallarında neytron çevrilmələri tapılmış və nanokristallik 3C-SiC hissəcikləri daxilində neytron transmutasiyası üsulu ilə n – tip aşqarlar alınıb. Neytron seli ilə şüalanma nəticəsində nanokristallik 3C-SiC hissəciklərində maksimum 70-80 nm tərtibində aqloremasiyanın olması HRTEM, TEM, FESEM və SEM analizləri ilə göstərilib. Neytron şüalanmadan sonra isə nanokristallik 3C-SiC hissəciklərinin səthində qalınlığı təqribən 3nm olan amorf təbəqə müəyyən edilib. HRTEM analizləri ilə 3C-SiC hissəciklərinin nanokristallik təbiəti təsdiqlənmiş və neytronlarla şüalanmadan sonra nanomaterialda yaranan defektlər və ya klasterlər “ləkələr” kimi müəyyən edilmişdir. Neytron seli ilə şüalanma zamanı 3C-SiC nanokristallarında RIC keciriciliyi və s. yeni göstəricilər müəyyən olunub.

Tədqiqat işində xüsusilə göstərilir ki, neytron seli ilə modifikasiya olunaraq 3C-SiC nanokristallarının bəzi fiziki xüsusiyyətləri idarə oluna bilir və bu da həmin materialın elektronikada tətbiq imkanlarını artırır. Neytron selinin təsir müddəti ilə nanokristallik 3C-SiC hissəciklərində yaranan aşqarların konsentrasiyasını idarə etmək olar. Yeni yaranmış aşqar elementlərin konsentrasiyasının dəyişməsi, birbaşa nanomaterialın fiziki xasələrinin dəyişməsinə səbəb olur.

Qeyd etmək lazımdır ki, alimin əldə etdiyi nəticələr radiasiya materialşünaslığı, nüvə fizikası, nanostrukturlar və yarımkeçiricilər fizikası sahələrinin kombinasiyası çərçivəsində multidissiplinar şəkildə tətbiq edilə bilər. Eyni zamanda, alınmış yeni və mükəmməl xüsusiyyətlərə malik nanomaterial iqtisadi cəhətdən daha əlverişlidir. Digər tərəfdən, nanomaterialın fiziki xassələrinin idarə olunması digər alternativ materialların bu materiallarla əvəz olunmasına imkan verəcək. Ümumi yanaşmada, neytron transmutasiyası nəticəsində alınmış yeni xüsusiyyətli 3C-SiC nanokristalları mikroelektronika, nanoelektronika, mikroelektromexaniki sistemlər (MEMS), nanoelektromexaniki sistemlər (NEMS) və ionlaşdırıcı mühitlər (peyk (fəza) texnologiyalarında, nüvə texnologiyalarında və s.) kimi bir sıra sahələrdə geniş tətbiq potensialına malikdir.

Ölkəmizdə radiasiya materialşünaslığı, nanoelektronnika və nanonüvə texnologiyalarının inkişafına yönənlmiş elmi tədqiqat işlərinin aparılmasını, eyni zamanda sözügedən sahələrdə gələcəkdə kadr hazırlığı işini özünə əsas hədəf seçib.

Biz də Radiasiya Problemləri İnstitutunun Baş direktoru, AMEA-nın müxbir üzvü, professor İslam Mustafayev və İnstitutun çoxsaylı kollektivi adından həmkarımız, dəyərli gənc alim Elçin Hüseynovu əldə etdiyi bu nailiyyət münasibəti ilə təbrik edir, gələcək elmi fəaliyyətində uğurlar arzu edirik.

© Bütün hüquqlar qorunur. Xəbərlərdən istifadə edərkən www.irp.science.az saytına istinad zəruridir.