Новости

Очередной успех ученого Института: «Самый молодой доктор наук»

Недавно по решению Высшей аттестационной комиссии (ВАК) при Президенте Азербайджанской Республики старшему научному сотруднику Института Радиационных Проблем Национальной Академии Наук Азербайджана (НАНА) Эльчину Гусейнову была присвоена ученая степень доктора физических наук.

Эльчин Гусейнов родился 1986 году в Саатлинском районе, с 2010 года является сотрудником Института Радиационных Проблем НАНА. Молодой ученый поступивший в 2011 году в докторантуру Института по специальности Радиационное материаловедение, а в 2014 году получил ученую степень доктора философских наук по физике и с этого года он является заведующим отдела «Радиационного материаловедения и радиационных нанотехнологий» в Национальном центре ядерных исследований.

В этом году Эльчин Гусейнов защитил докторскую диссертацию физических наук на тему «Радиоактивные превращения, возникшие под воздействием потока нейтронов в нанокристаллах 3C-SiC и их влияние на электронные процессы» и получил от ВАК ученую степень доктора физических наук. За время своей плодотворной деятельности ученый выполнял различные работы по радиационной физике, наноэлектронике и наноядерным технологиям в престижных центрах, активно участвовал в конференциях и мероприятиях в США, Германии, Италии, Франции, Чехии, Австрии, Словении, Турции, Российской Федерации и других странах.

Эльчин Гусейнов, чьи научные работы публикуются в журналах мирового уровня и с высоким индексом, является автором в общей сложности 93 научных работ. Около 40 из этих научных работ были опубликованы в таких популярных журналах как Applied Physics A, Physics Letters A, Ceramics International, Solid State Sciences, Physica B: (Elsevier), NANO, Silicon (Springer) и др. Количество ссылок на работы ученого, имеющего 14 статей, большинство из которых находится в высокорейтинговых журналах, составляет более 500. В международных рейтинговых системах его индекс h равен 18, а индекс i10 - 23.

Инновационные исследования и результаты молодого ученого

Исследования Эльчина Гусейнова носят инновационный характер и включают в себя ряд новых подходов. Таким образом, в результате исследований, проведенных ученым, впервые были обнаружены нейтронные превращения в нанокристаллах 3C-SiC, а также получены примеси типа- n при трансмутации нейтронов внутри нанокристаллических частиц 3C-SiC. Присутствие агломерации в нанокристаллических частицах 3C-SiC с максимальным размером порядка 70-80 нм в результате облучения нейтронным потоком было показано анализами HRTEM, TEM, FESEM и SEM. После нейтронного облучения на поверхности нанокристаллических частиц 3C-SiC был обнаружен аморфный слой толщиной около 3 нм. Нанокристаллическая природа частиц 3C-SiC была подтверждена анализом HRTEM, а дефекты или кластеры в наноматериале после нейтронного облучения были идентифицированы как «пятна». Проводимость RIC в нанокристаллах 3C-SiC при облучении нейтронным потоком были обнаружены новые показатели.

В исследовании особенно показана, что некоторыми физическими свойствами нанокристаллов 3C-SiC можно управлять, изменяя поток нейтронов, что увеличивает применимость материала в электронике. При длительности воздействия нейтронного потока, можно контролировать концентрацию примесей возникающие в нанокристаллических частицах 3C-SiC. Изменение концентрации новообразованных примесей напрямую приводит к изменению физических свойств наноматериала.

Следует отметить, что полученные ученым результаты могут быть применены в мультидисциплинарном подходе в сочетании радиационного материаловедения, ядерной физики, наноструктур и физики полупроводников. В то же время полученный наноматериал с новыми, совершенными свойствами более экономически выгодно. С другой стороны, управление физическими свойствами наноматериалов позволит заменить эти материалы другими альтернативными материалами. В целом, новые нанокристаллы 3C-SiC, полученные путем нейтронной трансмутации, используются в ряде областей, таких как микроэлектроника, наноэлектроника, микроэлектромеханические системы (MEMS), наноэлектромеханические системы (NEMS) и ионизирующие среды (спутниковые (космические) технологии, ядерные технологии и т. д.) имеет широкий потенциал применения.

Он выбрал проведение научных исследований, направленных на развитие радиационного материаловедения, наноэлектроники в нашей стране и в то же время своей основной целью выбрал подготовку кадров в будущем в этих областях.

От имени генерального директора Института Радиационных Проблем, члена-корреспондента НАНА, профессора Ислама Мустафаева и многочисленного коллектива Института поздравляем нашего коллегу, ценного молодого ученого Эльчина Гусейнова с этим достижением и желаем успехов в дальнейшей научной деятельности.

© Все права защищены. При использовании материалов веб-сайта ссылка на www.irp.science.az обязательна.