Struktur

Tel: (99412) 539 33 91
Faks: (99412) 539 83 18
E-mail: oktaysamedov9@gmail.com

Struktur bölmənin rəhbəri: AMEA-nın müxbir üzvü, f.-r.e.d., prof. Səmədov Oqtay Əbil oğlu

İşçilərin ümumi sayı: 15

Struktur bölmənin əsas fəaliyyət istiqamətləri:
TlInS₂ və TlGaSe₂ kimi kristalların və bərk məhlulların dielektrik və elektrik relaksasiyası, impedans spektri və faza keçidlərinə ionlaşdırıcı radiasiyanın təsirinin tədqiqi.

Struktur bölmənin əsas elmi nəticələri:
1. Müəyyən olunmuşdur ki, TlGaSe₂ kristalında 300K-dən yuxarı temperaturlarda (paraelektrik fazada) dielektrik nüfuzluğunun və itki bucağının tangensinin temperaturdan asılılıqlarında anomaliyalar mövcuddur. (T=415K və T=532K)
2. TlGaSe₂ kristalının (Z٭(f)) kompleks impedans və kompleks dielektrik spektri 100-550 K temperatur və 102−106 Hs tezlik intervalında tədqiq olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, 415K÷532K temperatur intervalında TlGaSe₂ kristalı ion keçiriciliyinə malik olur. Ekvivalent sxem əvəzləmələri üsulundan istifadə etməklə (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramları analiz olunmuşdur və tezlik oblastının sərhəddi hər bir temperatur üçün təyin olunmuşdur.
3. Müəyуən olunmuşdur ki, 20Mrad dozada γ-kvantlarla şüalanmış TlGaSe₂ kristalının (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramlarında yüksək tezlikli oblastının sərhəddi tezliyin azalması istiqamətinə doğru sürüşür və (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramlarında iki qadoqramma müşahidə olunur. Həm şüalanmış həmdə şüalanmamış TlGaSe₂ kristalında keçiriciliyin mexanizmi təyin olunmuşdur (elektron və yuxarı temperaturlarda isə ion). Polyarizasiyanın tipi: elektron və ion–relaksasiya polyarizasiyasıdır.