ИНСТИТУТ РАДИАЦИОННЫХ ПРОБЛЕМ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ РЕСПУБЛИКИ
ОТДЕЛЕНИЕ ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ И ТЕХНИЧЕСКИХ НАУК
| AZE | ENG | RUS |

Структура

"Лаборатория радиационной физики неупорядоченных твердых тел"

Тел: (99412) 539 33 91
Факс: (99412) 539 83 18
E-mail: oktaysamedov9@gmail.com

Заведующий структурным подразделением: Член корр. НАНА, д.ф.-м.н., профессор Самедов Огтай Абил оглы

Общее количество сотрудников: 18

Основные направления деятельности структурного подразделения :
Влияние ионизационной радиации на диэлектрический и электрической релаксации, импедансные спектры и фазовых переходов кристаллов TlInS2 и TlGaSe2.

Основные научные результаты структурного подразделения:
1. Выше темперауры 300К (параэлектрическая фаза) обнаружены аномалии в температурных зависимостях диэлектрической проницаемости и тангенсе угла потер кристаллов TlGaSe2 (T=415K и T=532K).
2. Исследованы комплексные диэлектрические характеристики кристаллов TlGaSe2 в области температур 100-550 K и частот 102−106 Гц. Показано, что в температурном интервале 415K÷532K кристаллы TlGaSe2 имеют ионную проводимость. Применяя метод эквивалентных схем замешений анализированы зависимости Z″=f (Z′) и определены границы частотной области соответствуюший каждому температуру.
3. Показано, что граница высокочастотной области в зависимостях Z″=f (Z′) кристаллов TlGaSe2 облученных до дозы 200кГр смешается в сторону низких частот и наблюдается две гадограммы. И исходных и облученных кристаллах TlGaSe2 в низких температурах преобладает электронный механизм проводимости а в высоких температурах ионный механизм.