Struktur

Tel: (+994 12) 5383224, (+99450) 6609715
Faks: (+994 12) 5398318
E-mail: msrahim@mail.ru

Struktur bölmənin rəhbəri: f.r.e.d., prof. Mədətov Rəhim Səlim oğlu

İşçilərin ümumi sayı: 13

Struktur bölmənin əsas fəaliyyət istiqamətləri:
Yarımkeçirici materialların radiasiyaya davamlılığının artırılma metodlarının işlənib hazırlanması; radiasiyaya davamlı cihazların elmi əsaslarının işlənməsi.

Struktur bölmənin əsas elmi nəticələri:
1. Aşqarlı (Yb, Er, Gd) və ilkin GaS və GaSe laylı monokristallarında radiasiya defektlərinin yaranma və dəmlənmə proseslərinin, həmçinin qamma-kvantlara qarşı davamlılıq mexanizmləri geniş temperatur, işıqlanma və elektrik sahə intensivliklərində müəyyən edilmişdir. Göstərilmişdir ki, kristalın kation və anion qəfəs altlarında yaranan radiasiya defektlərinin struktur və aşqar defektləri ilə qarşılıqlı təsiri nəticəsində baş verən radiasiya-stimullaşdırıcı proseslər laylı kristalların elektrik, optik və fotoelektrik xassələrini məqsədyönlü idarə edilməsinə və onlar əsasında effektiv fotoqəbuledicilərin və fotoçeviricilərin hazırlanmasına imkan verir.
2. Müəyyən edilmişdir ki, laylı GaS(Yb,Sm) kristallarının udulma zolağında fotokeçiriciliyi, xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə, səthin energetik səviyyələrinin qeyri-hamar potensialının nizamlanması nəticəsində yaranır. Səth potensialının hamarlanma dərəcəsi şüalanma dozasından, aşqar atomlarının konsentrasiyasından və xarici sahənin qiymət və istiqamətindən asılıdır.
3. Laylı GaS: Yb monokristalının səthində ölçüləri ~30-40 nm və periodikliyi ~16 nm olan defektlərin qeyri-hamar paylanması yüklü zərrəciklərlə və qamma kvantlarla şüalanma dozasından və aşqarlanma dərəcəsindən asılıdır. Şüalanma dozasının və aşqar atomlarının konsentrasiyasının artması ilə qeyri-hamarlığın həcmi eksponensial qanunla azalır.