ИНСТИТУТ РАДИАЦИОННЫХ ПРОБЛЕМ
НАЦИОНАЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК АЗЕРБАЙДЖАНА
ОТДЕЛЕНИЕ ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ И ТЕХНИЧЕСКИХ НАУК
| AZE | ENG | RUS |

Структура

"Лаборатория радиационной физики полупроводников"

Тел: (+994 12) 5383224
Факс: (+994 12) 5398318
E-mail: msrahim@mail.ru

Руководитель структурного подразделения: д.ф.-м.н., проф. Мадатов Рагим Салим оглы

Общее количество сотрудников: 8

Основные направления структурного подразделения:
Разработка методов увеличения радиационностойкости полупроводниковых материалов; разработка научных основ радиационностойких приборов.

Основные научные результаты структурного подразделения:
Были получены и исследованы слоистые монокристалла GaS, GaSe, GaTe и InSe на основе бинарных соединений А3B6. На основе полученных результатов были изучены механизмы образования и отжига радиационных дефектов, а также разработаны методы повышения радиационностойкости в слоистых полупроводниках.
1. Показано, что при легировании монокристалла GaS бором 10-4 at % атом бора заполняя вакансии галлия уменьшает электропроводность кристалла, а при легировании бором 102 at % происходит межслоевое накопление, приводящее к росту проводимости.
2. При облучении монокристаллов GaS γ-квантами, в результате перезаполнения примесных уровней в запрещенной зоне время жизни основных носителей и концентрация фоточувствительных центров увеличиваются, что приводит к росту фоточувствительности.
3. Показано, что внедрение 10-4 at % атомов бора в монокристаллы GaS перпендикулярно слоям (в направлении «с» оси) вследствие усиления ионно-ковалентной связи растет устойчивость кристалла к гамма излучению.
4. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств в монокристаллах GaS, GaSe, InSe легированных бором показало, что открываются широкие возможности в создании приемников ионизирующих излучений, имеющих высокую фоточувствительность в спектральной области 0,3 – 2 мкм.