Структура

Тел: (+994 12) 5383224; (+99450) 6609715
Факс: (+994 12) 5398318
E-mail: msrahim@mail.ru

Руководитель структурного подразделения: д.ф.-м.н., проф. Мадатов Рагим Салим оглы

Общее количество сотрудников: 13

Основные направления деятельности структурного подразделения:
Разработка методов повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов; разработка научных основ радиационно-стойких устройств.

Основные научные результаты структурного подразделения:
1. Определены механизмы радиационного дефектообразования и процессы заваривания легированных (Yb, Er, Gd) и первичных слоистых монокристаллов GaS и GaSe, а также устойчивость к гамма-квантам в широком диапазоне температур, освещенности и напряженности электрического поля. Показано, что радиационно-стимулирующие процессы, возникающие в результате взаимодействия радиационных дефектов, образующихся под катионной и анионной решетками кристалла, со структурными и аддитивными дефектами, позволяют целенаправленно управлять электрическими, оптическими и фотоэлектрическими свойствами слоистых кристаллов и создание на их основе эффективных фотоприемников и фотопреобразователей.
2. Установлено, что фотопроводимость слоистых кристаллов GaS (Yb, Sm) в полосе поглощения обусловлена регулированием негладкого потенциала энергетических уровней поверхности под действием внешнего электрического поля. Степень сглаживания поверхностного потенциала зависит от дозы облучения, концентрации аддитивных атомов, а также величины и направления внешнего поля.
3. Неравномерное распределение дефектов на поверхности слоистого монокристалла GaS:Yb с размерами ~ 30-40 нм и периодичностью ~ 16 нм зависит от дозы облучения заряженными частицами и гамма-квантами и степени примеси. По мере увеличения дозы облучения и концентрации примесных атомов степень шероховатости уменьшается экспоненциально.