ИНСТИТУТ РАДИАЦИОННЫХ ПРОБЛЕМ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ РЕСПУБЛИКИ
ОТДЕЛЕНИЕ ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ И ТЕХНИЧЕСКИХ НАУК
| AZE | ENG | RUS |

Структура

Лаборатория "Радиационная физика сегнетоэлектриков"

Тел: (+994 12) 5383224 (124)
Факс: (+994 12) 5398318
Е-mail: sardarli@yahoo.com

Руководитель структурного подразделения: д.ф.-м.н., проф. Сардарлы Рауф Мадат оглы

Общее количество сотрудников: 9

Основные направления деятельности структурного подразделения:
Исследование диэлектрических, оптических и импедансных спектров монокристаллов слоистой и цепочечной структуры на основе соединений типа TlBX2 (B = In, Ga; X = S, Se, Te) и твердых растворов на их основе, а также особенности влияние на эти свойства гамма-излучения.

Основные научные результаты структурного подразделения:
1. Установлено, что особенности, наблюдаемые на температурной зависимости электропроводности (σ(T)) облученных γ-квантами образцов твердых растворов системы TlSe1-xS2x выше комнатной температуре, связаны с переходом кристалла в суперионное состояние. Предложен механизм, объясняющий наблюдаемый характер проводимости, и показано, что наблюдаемая ионная проводимость связана с диффузией ионов Tl+ по вакансиям в подрешетке таллия.
2. Исследованы спектры комплексного импеданса исходных и облученных γ-квантами твердых растворов системы TlSe1-xS2x. По кривым годограммы импеданса, определена что в γ-облученных образцах появляются диффузионный импеданс Варбурга. Лучи на диаграмме импеданса связаны с диффузным импедансом Варбурга и показывает, что синусоидальный сигнал от перемешения ионов в измеренном частотном диапазоне не достигаеть границы диффузионного слоя.
3. Исследована электропроводность облученных в различных дозах слоистых и цепочечных кристаллов TlBX2 (B = In, Ga; X = S, Se, Te) и твердых растворов на их основе в интервале температур 100-300 К и были определены температурные интервалы прыжковой проводимости. На основе приближения Мотта установлено, что значения параметров прыжковой проводимости существенно изменяются в зависимости от состава и дозы γ-облучения.