Содержимое
Доктора наук
Мехрабова Метанет Ахмед кызы
Место рождения: Азербайджан, г. Баку
Дата рождения: 28.04.1964
Образование: Бакинский Государственный Университет, Физический Факультет
Ученая степень: Доктор физических наук
Ученое звание: Доцент
Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности: 01.04.27
- наименование специальности: Bərk cisimlər fizikası
- название темы: Межзонный эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках и в ее размерно-квантованных пленках
Название докторской диссертации:
- шифр специальности: 2225.01; 2220.01
- наименование специальности: Радиационная материаловедение; Физика полупроводников
- название темы: Электронная структура, энергия дефектообразования халькогенидов АII-IVBVI и влияние ионизирующего излучения на их физические свойства
Общее количество опубликованных научных работ: 180
- количество научных работ, опубликованных за рубежом: 98
- количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах: 85
Подготовка кадров:
- количество кандидатов наук: 1
Основные научные достижения:
1. Впервые из первых принципов рассчитаны электронная структура идеальных и дефектных полупроводников Cd(Pb)1-xMnxTe (х=0.01÷0.25), GaS. Определено, что дефекты, типа вакансия, междоузельный атом, Френкеловская пара в кристаллической ячейке приводят к изменению ширины запрещенной зоны, образованию локальных уровней в запрещенной зоне, к смещению уровня Ферми, а также образованию магнитных моментов и изменению магнитных свойств в Cd(Pb)1-xMnxTe, которые были подтверждены экспериментально.
2. Впервые были рассчитаны энергии дефектообразования, пороговые энергии полупроводников Cd(Pb)1-xMnxTe в различных зарядовых состояниях в зависимости от энергии Ферми из первых принципов, а также GaS, GaSe, InSe, которые были подтверждены экспериментально. Выявлено, что энергии дефектообразования и пороговая энергия у халькогенидов II и III группы больше, чем у халькогенидов IV группы.
3. Методами СО и ЛКАО вычислены энергетические уровни в полупроводниках GaS, GaSe, InSe для вакансии аниона, катиона и анионного, катионного замещения. Определено, что анионная или катионная вакансия в полупроводниках приводят к образованию локальных уровней в запрещенной и валентной зоне. Установлено, что атомы с малым ионным радиусом и соответствующей координацией, замещаемые дефекты в полупроводниках GaS, GaSe, InSe восстанавливают исходные свойства кристалла. Атомы с другой координацией и большим ионным радиусом создают дополнительные дефекты и локальные уровни.
4. Mетодом КМП, в вакууме 10-4Па, с применением дополнительного компенсирующего источника паров Те во время роста на подложках стекла, слюды, ВаF2 выращены структурно совершенные эпитаксиальные пленки Cd(Pb)1-xMnxTe, x=0.01÷0.1 с чистой, гладкой поверхностью.
5. Установлено, что при температуре подложки Тп=300К полученные пленки Cd1-xMnxTe на стеклянных подложках имеют поликристаллическую структуру в смеси с аморфной фазой, а на слюдяных подложках только поликристаллическую. Увеличение температуры подложки Тn≥470К приводит к получению поликристаллических пленок с кубической структурой на стеклянных подложках, а выше температуры Тn≥570К начинается эпитаксиальный рост на всех подложках.
6. Выявлено влияние γ-излучения (Е=1.17МэВ, Е=1.33МэВ) на морфологию поверхности и кристаллическую структуру эпитаксиальных пленок Cd(Pb)1-xMnxTe. С помощью АСМ и рентгендифрактометрических исследований определено, что облучение образцов дозой Dγ<25кГр приводит к изменению размеров кристалликов и кристаллической структуры, которое было подтверждено теоретически.
7. Установлено, что облучение эпитаксиальных пленок Сd1-хMnхТе γ-квантами при дозах Dγ<25кГр и Pb1-хMnхТе электронным потокoм (Е=4.5МэВ) Ф≤7·1017см-2 приводит в начале к уменьшению проводимости, котoрое связано с образованием локальных уровней в запрещенной зоне. С дальнейшим повышением дозы облучения происходит компенсация этих уровней и электропроводность растет.
8. Показано, что облучение γ-квантами эпитаксиальных пленок Cd(Pb)1-xMnxTe дозой Dγ≤25кГр приводит к значительным изменениям фотопроводимости, что дает возможность создать на их основе детекторов ионизирующего излучения.
9. Установлено, что увеличение количества Mn в эпитаксиальных пленках Cd1-xMnxTe, а также облучение их γ-квантами при дозе Dγ≤0.3кГр, приводит к изменению коэффициента поглощения и смещению края спектра, что связано с изменением ширины запрещенной зоны. Подобные закономерности наблюдаются и в эпитаксиальных пленках Pb1-xMnxTe, облученных электронным потоком Ф≤1016cм-2, которое было подтверждено теоретически.
10. Установлены оптимальные условия получения гетеропереходов CdTe/Cd1-xMnxTe и Pb1-xMnxТе/PbТe1-уSеу методом КМП, в едином технологическом цикле, без нарушения вакуума. Определено, что ГП CdTe/Cd1-xMnxTe чувствительны в области длин волн λ=0.5-0.9мкм, а ГП Pb1-xMnxТе/ PbТe1-уSеу в области λ=0.9-5.5мкм.
11. Установлено, что в размерно-квантованных пленках Pb1-xMnxTe, угол межзонного Фарадеевского вращения (УМФВ) растет с увеличением ширины запрещенной зоны.
12. Определено, что УМФВ в размерно-квантованных пленках Pb1-xMnxTe для двух конкретных ориентаций кристаллических направлений по отношению к поверхности пленки отличаются на несколько порядков и различны по знаку.
13. Показано, что в полумагнитных полупроводниках Сd1-xMnxTe УМФВ линейно зависит от концентрации парамагнитных ионов и очень малое количество ионов марганца сильно влияет на значение УМФВ.
Практическая значимость:
• управление структурой энергетических зон халькогенидов Cd(Pb)1-xMnxTe с помощью концентрации Mn, а также GaS, GaSe, InSe с помощью примесей;
• управление электропроводностью, и фотопроводимостью, типом проводимости магнитными свойствами и шириной запрещенной зоны кристаллов Cd(Pb)1-xMnxTe при помощи облучения ионизируюшей радиацией;
• используя данные электронной структуры и фотоэлектрических свойств можно создать солнечные элементы, фотодетекторы и детекторы ионизирующего излучения высокой чувствительности на основе эпитаксиальных пленок Cd(Pb)1-xMnxTe и структур на их основе.
Названия научных работ:
1. Askerov B.M., Ismailov T.H., Mehrabova M.A. Interband Faraday rotation in semimagnetic semiconductors. Physica status solidi (b), 1991, v.163, p.k117-k121.
2. Джахангирли З.А., Мехрабова М.А. Pасчет электронной структуры вакансий в GaSe методом функции Грина. Известия высших учебных заведений, Физика, Томск, 2006, №11, p.8-12.
3. Mehrabova M.A. Calculation of electronic structure of vacancies and their replacements in semiconductors AIIIBVI. Journal “Radioprotection”, vol.43, №5, 2008, p.134.
4. Mehrabova М.А. Detectors in Barrier Structures of Metal-Lamellar Semiconductors. Key Engineering Materials, Trans Tech Publications, Switzerland, 2010, v.464, p.1-10.
5. Меhrаbоvа М.А. Thermodynamic and electronic properties two-dimensional electron gas with heating. «Alternative energetics and ecology», 2010, №6, p.130-135.
6. M.A. Mehrabova, The modeling of calculations of thermodynamic and electronic parameters of hot electrons in a quantum well, International Journal of Energy, NAUN, ISSN: 1998-4316, issue 4, vol. 4, 2010, p.63-70.
7. M.A. Mehrabova, R.S. Madatov. Calculation of the electron structure of vacancies and their compensated states in III-VI semiconductors. Semiconductors, Russian, vol.45, №8, 2011, p.998-1005.
8. Madatov R.S., Najafov A.I., Tagiyev T.B., Mekhrabova M.A., Gazanfarov M.P. The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe2 monocrystals. Physics of solid state. 2011, v.45, №11, р. 2097-2101.
9. M.A. Mehrabova, Г.А. Абиев, Ш.А. Топчиева, Э.Т. Бабаев. Определение радионуклидов в составе змеиного яда и возможности создания детекторов на их основе. Вестник МГОУ. Серия «Естественные науки», №3/2011, стр.7-11, Россия, Москва.
10. M.A. Mehrabova, I.R. Nuriyev, H.S. Orujov. Electron Structure and Optical Properties of Cd1-xMnxTe Thin Films. International Journal of Materials, 2014, v.1, p.63-70.
11. M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, H.S. Orujov, A.M. Nazarov, R.M. Sadigov, V.N. Poladova, Defect formation energy for charge states and electrophysical properties of CdMnTe, Invited paper, Proc. SPIE Photonics, Devices and Systems VI, vol.9450, 2015, p.94500Q-1-10.
12. M.A. Mehrabova, H.S. Orujov, N.H. Hasanov, Ab initio study of defects in CdMnTe: Electronic structure and related properties, SciencePG International Journal of Materials Science and Applications, 2014, 3(6-1), p.24-32.
13. M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, T.B. Taghiyev, R.M. Sadigov, A.M. Nazarov, N.I. Huseynov, Impact of γ-irradition on srtucture and electrophysical properties of CdMnTe, SciencePG International Journal of Materials Science and Applications, 2014, 3(6-1), p.20-23.
14. И.Р. Нуриев, А.М. Назаров, M.A. Mehrabova, Р.М. Садыгов, Особенности роста, структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cd1-xMnxTe, Журнал «Неорганические Материалы», 2016, т.52, №9, с.1-4.
15. И.Р. Нуриев, М.А. Мехрабова, А.М. Назаров, Р.М. Садыгов, Н.Г. Гасанов. Рост, cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe. ФТП, v.51, №1, p. 36-39, 2017.
16. И.Р. Нуриев, М.А. Мехрабова. Н.Г. Гасанов. Cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cd1-xMnxSe. Поверхность, 2018, № 5, с. 98-101.
17. И.Р. Нуриев, А.М. Назаров, М.А. Мехрабова, Н.Г. Гасанов, Р.М. Садыгов, Н.В. Фараджов, С.С. Фарзалиев. Структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок полумагнитных твердых растворов Cd1-x(Mn,Fe)xSe. Поверхность, 2019, 11, c. 78-80
18. М.А.Мehrabova, H.R.Nuriyev, H.S.Оrujov, N.H.Hasanov, Т.I.Кеrimova, А.А.Аbdullayeva, A.I.Kazimova. Effect of gamma irradiation on conductivity of Cd1-xFexTe, ФТТ, 2019, v.61, №12, p. 2306–2309.
19. А.А. Абдуллаева, Н.Г. Гасанов, А.И. Кязимова, М.А. Мехрабова, Г.С. Оруджев, Ab initio расчеты дефектов в полумагнитных полупроводниках CdMnSe. Известия российской академии наук. Mеханика Tвердого Tела. 2020, № 1, с. 130-136
20. M.A. Mehrabova, T.I. Kerimova, N.H. Hasanov. Dielectric properties of Cd1-xFexTe semimagnetic semiconductors. 9th Rostocker International Conference: “Technical Thermodynamics: Thermophysical Properties and Energy Systems”, 15 October, 2020, University of Rostock, Germany, p.38
Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях:
1. Академик Международной Академии Наук Экологии и Безопасности Жизнедеятельности, Санкт-Петербург, Российская Федерация
2. Профессор Международной Экоэнергетической Академии, Азербайджан
3. Главный специалист по коммерциализации технологий, США, Украина
4. Эксперт журнала “Physica B: Physics and Condensed Matter”, Web od Science, IF – 1.9
5. Член орг. комитета международной конференции “Photonics-2017”, Prague, Czech Republic
6. Член международного научного комитета III международной конференции "Security Management and Society", Brno, Czech Republic, 2012
7. Главный редактор специального выпуска журнала “Material science” USA, Science Publishing Group”, 2014,
http://www.sciencepublishinggroup.com/specialissue/specialissueinfo.aspx?specialissueid=123001&journalid=123
8. Член редакционной коллегии 3-х Международных Журналов “Science Publishing Group” США:
1) American Journal of Physics and Applications,
2) American Journal of Nanoscience and Nanotechnology,
3) International Journal of Materials Science and Applications
Педагогическая деятельность:
1) Бакинский Государственный Университет, Физический факультет, кафедра «Физика Твердого Тела»;
2) Лицей «Юные Таланты» Бакинского Государственного Университета
Прочая деятельность:
1) Научный руководитель, 5 докторантов
2) Подготовка учеников к международным и республиканским олимпиадам
3) Коммерциализации технологий
Премии и награды:
1. Диплом «Молодой ученый XXI века»
2. Почетная грамота лицея «Юные Таланты» Бакинского Государственного Университета
Основное место работы и адрес:
Институт Радиационных Проблем Министерства Науки и Образования АР, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, ул. Б.Вагабзаде, 9
Должность: Ведущий научный сотрудник
Служ. тел.: (+994 12) 5383224 (132)
Моб. тел.: (+994 50) 7318177
Дом. тел.: (+994 12) 4325187
Э-почта: m.mehrabova@science.az, mehrabova@mail.ru