Доктора наук

Место рождения: Азербайджан, Астара, с. Шиякерань

Дата рождения: 12.02.1979

Образование: Бакинский Государственный Университет

Ученая степень: Доктор физических наук

Ученое звание: Доцент

Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности: 2225.01
- наименование специальности: Радиационное материаловедение
- название темы: Влияние γ-лучей на электрические и диэлектрические свойства соединений TlInS₂(V)

Название докторской диссертации:
- шифр специальности: 2225.01
- наименование специальности: Радиационное материаловедение
- название темы: Влияние гамма-лучей на электрические, диэлектрические и оптические свойства твердых растворов TlGa_1-xIn_xSe_2(1-x)S_2x və TlGa_1-xIn_xSe₂

Общее количество опубликованных научных работ: 138
- количество научных работ, опубликованных за рубежом: 57
- количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах: 21

Подготовка кадров:
- количество кандидатов наук: 1

Основные научные достижения:
      На основании изучения нестабильности температур решеток соединений типа A³B⁶ и A³B³C⁶₂, установлено присутствие фазовых переходов и всесторонне исследовано. Впервые было установлено, что фазовые переходы наблюдаются с температурными полями структуры “incommensurate”. Это дает возможность получать полную информацию о изучаемых свойствах динамики решетки. Определены механизмы свойств воздействия гамма-лучей на диэлектрические, оптические и импедансные спектры твердых растворов TlGa_1-xIn_xSe_2(1-x)S_2x и TlGa_1-xIn_xSe₂ в широком интервале частот и температур.
      Новизна исследования основана на характеристиках скачкообразной проводимости твердых растворов, облученных современными методами исследования, плотности тока и эффекта Пауля-Френкеля, характеристиках суперионной проводимости, импедансных и оптических спектрах, поверхностных процессах с атомно-силовым микроскопом. Впервые в облученных твердых растворах, наблюдаемые на температурной зависимости электропроводности образцов твердых растворов выше комнатной температуры, связаны с переходом кристалла в суперионное состояние, зависимость ширины прямой и диагональной запрещенной зоны от концентрации определяли по спектрам отражения и испускания в спектральном диапазоне 400-1100 нм при комнатной температуре, в результате исследований методом атомно-силового микроскопа воздействие радиации увеличивает степень насыщения наноразмерных кластеров, увеличивает возможность диссоциации молекул и вызывает образование критических ячеек. Практическая значимость исследования заключается в том, что полученные результаты могут быть использованы в качестве элементов памяти и преобразователей, микробатареек, суперконденсаторов, ионисторов, подходящих материалов для гамма-детекторов, фотохромных кристаллов.

Названия научных работ:
1. Relaxor properties and conductivity mechanism of γ-radiated TlInS₂ crystals. FTT, Solid State Physics (Physica Tverdovo Tela), 2005, v.47, N.9, p.1665-1669.
2. “Specific Features of Conductivity of γ-Irradiated TlGaTe₂ Crystals with Nanochain Structure” Semiconductors 44, 485 (2010).
3. Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe₂. Физика твердого тела. 2011, том. 53, вып. 8, с. 1488-1492.
4. Superionic Conductivity in One-Dimensional Nanofibrous TlGaTe₂ Crystals. Japanese Journal of Applied Physics. 50 (2011), 05FC09-1 – 2.
5. Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe₂ и lInTe₂.Физика и техника полупроводников. 2011, том 45, вып. 11, с. 1441-1445.
6. Суперионная проводимость в кристаллах TlGaTe₂. Физика и техника полупроводников. 2011, том 45, вып. 8, с. 1009-1013.
7. “Ionic conductivity and dielectric relaxation in γ-irradiated TlGaTe₂ crystals”. FTP, (Physica i Technica Poluprovodnicov), Semiconductors 47, No.5, 696-701 (2013).
8..Conductivity over localized states of the system of (TlInSe₂)_1-x(TlGaTe₂)_x solid solutions, Semiconductors 49 (12), 1655-1660
9. On the polarization caused by bulk charges and the ionic conductivity in TlInSe₂ crystals, March 2014, Semiconductors 48(4)
10. Phase Transition in TlS, TlSe and TlInS₂ Crystals Caused by Nanoscale Defects, August 2017 DOI10.11159/tann17.116 Conference: International Conference of Theoretical and Applied Nanoscience and Nanotechnology
11. Phase Transition in TlS, TlSe and TlInS₂ Crystals Caused by Nanoscale Defects, January 2018, DOI10.11159/ijtan.2018.002
12. Тип оптических переходов на краю фундаментального поглощения кристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂, подвергнутых γ-облучению. Оптика спектроскопия Т127 в3, DOI: 10.1134/S0030400X19090224
13. Impedance Spectroscopy Of (TlGaSe₂)_1-x(TlInSe₂)_x Solid Solutions In Radio Frequency Range. Modern physics letters b, Vol. 34, No. 11, 2050113 (2020) https://doi.org/10.1142/S0217984920501134
14. Импедансные характеристики γ-облученных твердых растворов (TlGaSe₂)_1-x(TlInS₂)_х в радиочастотном диапазоне Физика и техника полупроводников, 2020.т54 в6 DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49376.9172

Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях:
Член редакционного совета журнала «Молодой исследователь»

Педагогическая деятельность:
Национальная Академия Авиации - магистратура
Институт Радиационных Проблем - магистратура

Прочая деятельность:
Заместитель председателя территориальной организации ПНА ИРП

Премии и награды:
Лауреат «Молодежная награда» Министерства Молодежи и Спорта АР (2012 г.)
Почетная Грамота Исполнительной Власти Ясамальского Района - 2016

Основное место работы и адрес:
Институт Радиационных Проблем Министерства Науки и Образования АР, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, ул. Б.Вагабзаде, 9

Должность: Ведущий научный сотрудник

Служ. тел.: (+994 12) 5393391
Моб. тел.: (+994 70) 2083033
Э-почта: faminsalmanov1979@gmail.com, famin.salmanov@science.az