Доктора наук

Место рождения: Арм.ССР, Сисианский р-н, с. Агуди

Дата рождения: 06.06.1960

Образование: Азербайджанский (Бакинский) Государственный Университет

Ученая степень: Доктор физ. наук

Ученое звание: Доцент

Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности: 01.04.10
- наименование специальности: Физика полупроводников и диэлектриков
- наименование специальности: Электрофизические и оптические свойства твердого раствора германий-кремний(Ge_1-xSi_ix:H)

Название докторской диссертации:
- шифр специальности: 2211.01
- наименование специальности: Физика твердого тела
- название темы: Электронные и оптические процессы в гидрогенизированных тонких пленках на основе кремния–германия и перспективы их применения

Общее количество опубликованных научных работ: 105
- количество научных работ, опубликованных за рубежом: 71
- количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах: 24

Основные научные достижения:
1. Определен прыжковый механизм при низких температурах.
2. Для соединений кремния определены прыжковая энергия, прыжковое расстояние, волновая функция для локальных состояний и плотность состояний.
3. Дана формула для определения концентрации атомов водорода в кремниевых структурах.
4. Дана структура для изготовления многослойных солнечных элементов.

Названия научных работ:
1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si_0,90Ge_0,10:H_x. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.
2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge_0,90Si_0,10:H_х. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385.
3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge_0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224.
4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge_0,85Si_0,15:H. // Прикладная физика, 2004, № 4, с. 107-114.
5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Si_i-хGe_x:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144.
6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si_0,80Ge_0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102.
7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si_0,80Ge_0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.
8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Si_0,60Ge_0,40:H_x films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791.
9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si_1-xGe_x:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.
10. Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si_0,80Ge_0,10:H_x films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38.
11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si_1-хGe_х:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55.
12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23.
13. Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Si_i-xGe_x:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718.
14. Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367.
15. Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si_1-xC_x:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630.

Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях:
Член-корреспондент Российской Академии Естествознания

Премии и награды:
1. Диплом «Золотая кафедра России» Российской Академии Естествознания
2. Орден «Labore Et Scientia – Трудом и Знанием» Российской Академии Естествознания
3. Орден «Primus Inter Pares – Первый Среди Равных» Российской Академии Естествознания
4. «Заслуженный деятель науки и образования» Российской Академии Естествознания

Основное место работы и адрес:
Институт Радиационных Проблем Министерства Науки и Образования АР, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, ул. Б.Вагабзаде, 9

Должность: Ведущий научный сотрудник

Служ. тел.: (+994 12) 5383224
Моб. тел.: (+994 50) 3998966
Дом. тел.: (+994 12) 4771866
Э-почта: bnajafov@rambler.ru